[实用新型]分区热盘加热器有效
申请号: | 201821796558.5 | 申请日: | 2018-11-01 |
公开(公告)号: | CN208861949U | 公开(公告)日: | 2019-05-14 |
发明(设计)人: | 徐宏林 | 申请(专利权)人: | 上海宏端精密机械有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海市嘉华律师事务所 31285 | 代理人: | 黄琮;傅云 |
地址: | 201608 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 加热器 加热盘 放置盘 加热区 分区 热盘 本实用新型 加热管 铠装 第二加热区 第三加热区 第一加热区 半导体片 盖体盖合 外接电源 盖体 凸台 加热 | ||
本实用新型实施例公开了一种分区热盘加热器。该加热器包括:放置盘、盖体和加热盘;所述放置盘固定于所述加热盘的上侧,所述放置盘用于放置半导体片;所述盖体盖合于所述加热盘的下侧;所述加热盘的下侧包括:第一加热区、第二加热区和第三加热区;每个加热区由多个凸台围绕形成多个凹槽,每个加热区的铠装加热管盘设在多个凹槽中,且每个加热区的铠装加热管分别外接电源,因此本实用新型设计的分区热盘加热器可以实现分别对各个分区进行加热。
技术领域
本实用新型涉及半导体热加工领域,尤其涉及一种分区加热器。
背景技术
目前,在硅片等半导体进一步加工的工艺中,例如,硅片衬底的加热处理和硅片涂胶后的烘焙工艺中都需要用到热盘式加热器,是通过硅片与热盘的表面接触而进行热加工工艺。
现有技术中,常见的热盘加热器一般为一组加热管构成的加热区,或者多组加热管在热盘表面均匀分布而构成多组加热区,无论是一组加热区或者均匀分布的多组加热区每个区的加热温度是相同的。当工艺需要分区加热时目前技术中的热盘加热器无法完成,因此,需要设计一种热盘加热器解决目前存在的问题。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种分区热盘加热器,可以对热盘加热器的各个分区分别进行加热。
本实用新型实施例提供一种分区热盘加热器,用于加热半导体片,包括:放置盘、盖体和加热盘;
所述放置盘固定于所述加热盘的上侧,所述放置盘用于放置半导体片;
所述盖体盖合于所述加热盘的下侧;
所述加热盘的下侧包括:第一加热区、第二加热区和第三加热区;
所述第一加热区包括:第一铠装加热管、第一凸台、第二凸台、第三凸台、第四凸台和第一导线;
所述第一凸台和所述第二凸台形成第一凹槽,所述第二凸台与所述第三凸台形成第二凹槽,所述第三凸台与所述第四凸台形成第三凹槽,且所述第一凹槽和所述第二凹槽相连通,所述第二凹槽和所述第三凹槽相连通;
所述第一铠装加热管盘设在所述第一凹槽中、所述第二凹槽中和所述第三凹槽中;
所述第一铠装加热管的一端与所述第一导线的一端连接,所述第一导线的另一端外接电源;
所述第二加热区包括:第二铠装加热管、第五凸台、第六凸台、第七凸台和第二导线;
所述第四凸台和所述第五凸台形成第四凹槽,所述第五凸台和所述第六凸台形成第五凹槽,所述第六凸台和所述第七凸台形成第六凹槽,且所述第四凹槽和所述第五凹槽相连通,所述第五凹槽和所述第六凹槽相连通;
所述第二铠装加热管盘设在所述第四凹槽中、所述第五凹槽中和所述第六凹槽中;
所述第二铠装加热管的一端与所述第二导线的一端连接,所述第二导线的另一端外接电源;
所述第三加热区包括:第三铠装加热管和第三导线;
所述第七凸台与所述加热盘的外壁形成第七凹槽;
所述第三铠装加热管盘设在所述第七凹槽中;
所述第三铠装加热管的一端与所述第三导线的一端连接,所述第三导线的另一端外接电源。
在一种可行的方案中,所述第一凸台、所述第二凸台、所述第三凸台、所述第四凸台、所述第五凸台、所述第六凸台和所述第七凸台由内到外且同心设置。
每个凸台同心设置,形成形状规则且均匀分布的凹槽,使盘设于凹槽中的铠装加热管分布均匀,从而使得待加热的半导体片受热均匀。
在一种可行的方案中,分区热盘加热器,还包括:第一凸块、第二凸块、第三凸块和第四凸块;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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