[实用新型]一种宽温度范围带隙基准电压电路

权利要求书

1.一种宽温度范围带隙基准电压电路，其特征在于，

所述宽温度范围带隙基准电压电路包括：

自偏置模块、

带隙基准核心模块、

电压生成模块；

所述自偏置模块提供偏置电压和偏置电流；

所述自偏置模块在电源上电过程中作为自启动电路；

所述带隙基准核心模块基于Brokaw带隙单元组成，产生初级基准电压；

所述带隙基准模块包括基极电流校正电阻；通过在Brokaw带隙单元中三极管对的基极中加入基极电流校正电阻，进行校正运算后产生补偿前的基准电压；

所述电压生成模块产生最终的基准电压；

所述电压生成模块通过在电源和地的通路上通过串联修调电路调节输出电压；所述修调电路通过传输门控制微调电阻的接入状态。

2.如权利要求1所述的宽温度范围带隙基准电压电路，其特征在于：

还包括曲率补偿模块；

所述曲率补偿模块对补偿前的基准电压进行非线性曲率补偿；所述非线性曲率补偿为曲率补偿模块产生非线性曲率补偿电流，非线性曲率补偿电流通过电阻产生电压进行补偿。

3.如权利要求2所述的宽温度范围带隙基准电压电路，其特征在于：

所述曲率补偿模块包括场效应晶体管M1、M2、M3、M4、M7、M8和M9；电阻R8、R9和R10；放大器OP2；场效应晶体管M1-M4、M7、M8为PMOS管；M9为NMOS管；

曲率补偿模块还包括电阻Rco；

电阻Rco的一端连接所述带隙基准核心模块中的电阻R2，另一端接地；放大器OP2的正相端连接Vbgr节点、反相端接节点M、输出端接场效应晶体管M9的栅极；场效应晶体管M9的源级连接电源VDD、漏极和电阻R10的一端连接节点M；电阻R8-R10串联连接：电阻R10的另一端和电阻R9的一端连接于节点H、电阻R9的另一端和电阻R8的一端连接于节点L、电阻R8的另一端接地；

场效应晶体管M1的源极、M2的源级、M7的漏极相连；场效应晶体管M3的源极、M4的源级、M8的漏极相连；M7和M8的源级连接电源VDD；M7和M8的栅极连接节点Vpbias；节点Vpbias为所述自偏置模块为的M5的栅极；M1和M3的栅极连接节点VPTAT；M2和M4的栅极分别连接节点L和H；M2和M3的漏级接地；M1和M4的漏级连接电阻Rco的一端。

4.如权利要求1所述的宽温度范围带隙基准电压电路，其特征在于：

所述自偏置模块包括场效应晶体管M5和M6；三极管Q3和Q4、电阻R6和R7；场效应晶体管M5和M6为PMOS管；三极管Q3为PNP三极管、三极管Q4为NPN三极管；

场效应晶体管M6和M5的源级连接电源VDD，场效应晶体管M5的栅极和M6的栅极、M5的漏极相连；场效应晶体管M6和M5组成电流镜；场效应晶体管M6的漏极和电阻R7的一端相连于C点且作为自偏置模块的第一输出端连接带隙基准核心模块；电阻R7的另一端B点连接三极管Q4的基极和三极管Q3的发射极；三极管Q4的发射极E点连接电阻R6的一端；电阻R6的另一端接地；三极管Q3的集电极接地、三极管Q3的基极作为自偏置模块的第二输出端连接带隙基准核心模块。

5.如权利要求4所述的宽温度范围带隙基准电压电路，其特征在于：

所述M5和所述M6具有相同的尺寸。