[实用新型]一种复合层式半导体级石英坩埚有效
| 申请号： | 201821804914.3 | 申请日： | 2018-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN209098511U | 公开（公告）日： | 2019-07-12 |
| 发明（设计）人： | 王建军;李常国;李杰;何玉鹏 | 申请（专利权）人： | 宁夏富乐德石英材料有限公司 |
| 主分类号： | C03C3/06 | 分类号： | C03C3/06;C03B20/00 |
| 代理公司： | 宁夏合天律师事务所 64103 | 代理人： | 孙彦虎 |
| 地址： | 750021 宁夏回*** | 国省代码： | 宁夏;64 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 石英坩埚 保护层 第一保护层 半导体级硅 第二保护层 半导体级 复合层式 微气泡层 微气泡 析晶 本实用新型 表面设置 结晶缺陷 依次设置 硅液面 抖动 硅液 拉晶 增高 破裂 阻碍 生产 | ||
1.一种复合层式半导体级石英坩埚，其特征在于：包括石英坩埚本体、第一保护层、第二保护层、第三保护层、第四保护层，所述石英坩埚本体剖面呈U型设置，所述第一保护层设置于石英坩埚本体的内表面上，所述第二保护层设置于第一保护层的内表面上，所述第三保护层设置于第二保护层的内表面上，所述第四保护层设置于第三保护层的内表面上，所述第一保护层和所述第三保护层为微气泡层，所述第二保护层和所述第四保护层为真空透明层。
2.如权利要求1所述的一种复合层式半导体级石英坩埚，其特征在于：所述第一保护层厚度为8-10mm，所述第二保护层厚度为3-5mm，所述第三保护层厚度为0.1-1mm，所述第四保护层厚度为0.3-1mm。
3.如权利要求2所述的一种复合层式半导体级石英坩埚，其特征在于：所述第一保护层厚度为9mm，所述第二保护层厚度为4mm，所述第三保护层厚度为0.5mm，所述第四保护层厚度为0.5mm。
4.如权利要求1所述的一种复合层式半导体级石英坩埚，其特征在于：所述第一保护层所含微气泡为20-34个/mm3，所述第二保护层所含微气泡为3-8个/mm3，所述第三保护层所含微气泡为20-34个/mm3，所述第四保护层所含微气泡为3-8个/mm3。
5.如权利要求4所述的一种复合层式半导体级石英坩埚，其特征在于：所述第一保护层和所述第三保护层所含微气泡孔径为0.1mm以下。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于宁夏富乐德石英材料有限公司，未经宁夏富乐德石英材料有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201821804914.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种带有集尘罩的机械自动化切割装置
- 下一篇：一种可调式水晶反光膜的镀膜装置
