[实用新型]一种镀膜设备沉积腔室和镀膜设备

说明书

本实用新型公开了一种镀膜设备沉积腔室，在所述沉积腔室的底板上设置有金属蒸发源和非金属蒸发源，其中，在所述底板上设置的每排非金属蒸发源的个数为M个；并且，该M个非金属蒸发源分散布置在所述底板的长度方向；M为大于等于8小于等于15的整数；其中，在非金属蒸发源的两侧沿所述底板的长度方向分别设置有一排金属蒸发源，设置在非金属蒸发源一侧的一排金属蒸发源与设置在非金属蒸发源另一侧的金属蒸发源对称设置。本方案，使得通过镀膜设备沉积腔室在玻璃衬底表面形成的CIGS膜厚度均匀，性能良好，从而使得形成的包括CIGS膜的太阳能电池具有较高的发电效率，有效满足用电需求。

技术领域

本实用新型涉及太阳能电池制备设备领域，尤其涉及一种镀膜设备沉积腔室和镀膜设备。

背景技术

在基板上附着CIGS(CuIn_xGa_(1-x)Se₂的简写，主要组成有Cu(铜)、In(铟)、Ga(镓)、Se(硒))膜，以形成太阳能电池，方可使太阳能电池具有将太阳能转化为电能的功能。

现有技术方案中主要采用磁控溅射的方法在基板上形成CIGS膜，以形成太阳能电池的方法，该方法主要是利用气体放电产生的正离子在电场的作用下高速运动进而轰击作为阴极的靶，使作为阴极的靶中的原子或分子从原有物质中逃逸出来进而沉淀到基板的表面，以在基板上形成可将太阳能转化为电能的薄膜。采用该磁控溅射方法形成的薄膜与基板有较好的附着性，且形成的薄膜的密度较高。

然而，磁控溅射方法是采用环状磁场控制下的辉光放电，其成膜速率差且磁控溅射的设备需要高压装置，导致设备复杂昂贵，不利于大规模生产太阳能电池。除此之外，通过磁控溅射形成的CIGS薄膜厚度不均匀，质量较差，由此导致太阳能电池的性能较差，发电效率较低。

综上所述，现有技术方案中缺少一种可形成厚度均匀、质量较高的CIGS薄膜的镀膜设备和镀膜设备。

实用新型内容

本实用新型实施例提供一种镀膜设备沉积腔室和镀膜设备，以解决现有技术中缺少一种形成的CIGS膜厚度均匀、具有高发电效率的镀膜设备沉积腔室的技术问题。

根据本实用新型提供的一种镀膜设备沉积腔室，在所述底板上沿第一预设方向设置的每排非金属蒸发源的个数为M个；并且，该M个非金属蒸发源沿第一预设方向分散布置在所述底板上；M为大于等于8小于等于15的整数；其中，在非金属蒸发源的两侧，沿第二预设方向分别设置有一排金属蒸发源，设置在非金属蒸发源一侧的一排金属蒸发源与设置在非金属蒸发源另一侧的金属蒸发源以所述第一预设方向所在的直线为对称轴对称设置。本实用新型，沿第一预设方向在底板上设置的每排非金属蒸发源的数量为大于等于8小于等于15的整数，且该M个非金属蒸发源分散布置在所述底板的长度方向，可有效满足为不同面积的玻璃衬底进行沉积以形成CIGS膜的需求，同时，每排非金属蒸发源中相邻两个非金属蒸发源之间的间距为一定值，可有效满足生产出的CIGS膜的厚度均匀的要求。

在一个实施例中，在沉积腔室的底板上设置有多排所述非金属蒸发源，多排非金属蒸发源中至少包括一排基准非金属蒸发源组，所述基准非金属蒸发源组至少包括两个非金属蒸发源之间的间隔小于预设距离的非金属蒸发源。本实用新型，有效保障了沉积腔室底板上相应区域的非金属蒸发源布置密度，有效保障了生成的CIGS膜的厚度、面积及其性能。

在一个实施例中，在沉积腔室的底板上设置有多排非金属蒸发源，所述多排非金属蒸发源中至少包括两排排列方式相同的非金属蒸发源，在所述至少两排排列方式相同的非金属蒸发源，其中一排的首端、末端的非金属蒸发源较另一排的首端、末端的非金属蒸发源在第一预设上均错位预设距离。如此，可使得非金属蒸发源在底板上占据更大的面积，从而可在玻璃衬底上形成的CIGS膜的面积可以得到有效的保证，从而有效保证了CIGS膜的性能及发电效率。除此之外，相对于无规则排布，本排布方式，可使得非金属蒸发源在底板上的排布较为均匀，从而在满足沉积形成的CIGS膜较为均匀的基础上，有效保障非金属蒸发源在底板上的排布较为整齐，便于后期维护。