[实用新型]一种镀膜设备沉积腔室和镀膜设备

权利要求书

1.一种镀膜设备沉积腔室，在所述沉积腔室的底板上设置有金属蒸发源和非金属蒸发源，其特征在于，在所述底板上沿第一预设方向设置的每排非金属蒸发源的个数为M个；并且，位于同一排非金属蒸发源的首端的P个非金属蒸发源中的相邻两个非金属蒸发源之间的间距为第一间距，位于同一排非金属蒸发源的末端的M-P个非金属蒸发源中的相邻两个非金属蒸发源之间的间距为第二间距；其中，M为大于等于8小于等于15的整数，P为大于等于1小于等于M-1的整数。

2.根据权利要求1所述的沉积腔室，其特征在于，沿所述底板的长度方向，在所述底板上设置有多排非金属蒸发源，沿所述底板的宽度方向，所述多排非金属蒸发源中的首端的P个非金属蒸发源一一对齐设置。

3.根据权利要求2所述的沉积腔室，其特征在于，相邻两排非金属蒸发源中：

在宽度方向上，位于一排的首端的第P+1个、第M个非金属蒸发源较另一排的第P+1个、第M个非金属蒸发源均错位预设距离。

4.根据权利要求1所述的镀膜设备沉积腔室，其特征在于，在所述底板上设置一排非金属蒸发源，所述一排非金属蒸发源的中心的连接线与参考线成35-90度的夹角设置；其中，所述参考线为所述底板中心线。

5.根据权利要求4所述的镀膜设备沉积腔室，其特征在于，所述一排非金属蒸发源沿所述底板的一个对角线设置。

6.根据权利要求1所述的镀膜设备沉积腔室，其特征在于，在所述沉积腔室的底板上设置有一排非金属蒸发源，所述一排非金属蒸发源沿所述底板的长度方向设置。

7.根据权利要求6所述的镀膜设备沉积腔室，其特征在于，所述一排非金属蒸发源设置在所述底板的宽度方向的中间位置。

8.根据权利要求1所述的镀膜设备沉积腔室，其特征在于，所述金属蒸发源的中心线与垂直于所述沉积腔室的底板的直线的倾斜角度均为20-45度，

和/或

所述非金属蒸发源的中心线与垂直于所述沉积腔室的底板的直线的倾斜角度均为0-60度。

9.根据权利要求1-8任一项所述的镀膜设备沉积腔室，其特征在于，所述非金属蒸发源包括Se蒸发源；或/和

所述金属蒸发源包括Cu蒸发源、In蒸发源和Ga蒸发源，所述Cu蒸发源、In蒸发源与Ga蒸发源的总数量为P对，其中P为大于等于8小于等于15的整数。

10.一种镀膜设备，其特征在于，包括如权利要求1～9任一项所述的镀膜设备沉积腔室。