[实用新型]半导体器件结构

权利要求书

1.一种半导体器件结构，其特征在于，所述半导体器件结构包括：

第一掺杂类型的衬底；

场氧化层，位于所述第一掺杂类型的衬底的上表面；

多晶硅栅极，位于部分所述场氧化层的上表面；

栅氧化层，位于所述多晶硅栅极的上表面及部分所述场氧化层的上表面；

第二掺杂类型的衬底材料层，位于所述栅氧化层的上表面；

第二掺杂类型的第一阱区，位于所述第二掺杂类型的衬底材料层内；

阳极区域，位于所述第二掺杂类型的衬底材料层内，且位于所述第二掺杂类型的第一阱区的一侧；所述阳极区域沿长度方向包括若干个交替排布的第一掺杂类型的第一掺杂区域及第二掺杂类型的第一掺杂区域；

阴极区域，位于所述第二掺杂类型的衬底材料层内，且位于所述第二掺杂类型的第一阱区背离所述阳极区域的一侧；所述阴极区域沿长度方向包括若干个交替排布的第一掺杂类型的第二掺杂区域及第二掺杂类型的第二掺杂区域；

第一掺杂类型的体区，位于所述第二掺杂类型的衬底材料层内，且位于所述阴极区域与所述第二掺杂类型的第一阱区之间。

2.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其特征在于：所述半导体器件结构还包括第一掺杂类型的重掺杂区域，所述第一掺杂类型的重掺杂区域位于所述第一掺杂类型的衬底内。

3.根据权利要求2所述的半导体器件结构，其特征在于：所述半导体器件结构还包括；

介质层，位于所述第二掺杂类型的衬底材料层的上表面及裸露的所述场氧化层的上表面；

阳极电极，位于所述介质层内及所述介质层表面，且与所述阳极区域相接触；

阴极电极，位于所述介质层内及所述介质层表面，且与所述阴极区域及所述第一掺杂类型的重掺杂区域相接触。

4.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其特征在于：所述阳极区域内，所述第一掺杂类型的第一掺杂区域的长度大于所述第二掺杂类型的第一掺杂区域的长度。

5.根据权利要求4所述的半导体器件结构，其特征在于：所述第一掺杂类型的第一掺杂区域的长度大于等于1μm且小于等于500μm，所述第二掺杂类型的第一掺杂区域的长度大于0μm且小于等于100μm。

6.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其特征在于：所述场氧化层的厚度为1000埃～20000埃；所述栅氧化层的厚度为100埃～3000埃。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体器件结构，其特征在于：所述半导体器件结构还包括：

第二掺杂类型的第二阱区，位于所述第一掺杂类型的衬底内；

漏极，位于所述第二掺杂类型的第二阱区内，且与所述阳极区域短接；

第一掺杂类型的阱区，位于所述第一掺杂类型的衬底内，且位于所述第二掺杂类型的第二阱区背离所述漏极的一侧；

源极，位于所述第一掺杂类型的阱区内，且与所述阴极区域短接。

8.根据权利要求7所述的半导体器件结构，其特征在于：所述半导体器件结构还包括第一掺杂类型的埋层，所述第一掺杂类型的埋层位于所述第二掺杂类型的第二阱区内，且位于所述源极与所述漏极之间。

9.根据权利要求8所述的半导体器件结构，其特征在于：所述半导体器件结构包括N层所述第一掺杂类型的埋层，N层所述第一掺杂类型的埋层沿所述第二掺杂类型的第二阱区的深度方向平行间隔排布；所述第二掺杂类型的第二阱区内的掺杂类型离子的剂量为所述第一掺杂类型的埋层内掺杂离子的剂量的N+1倍，其中，N为大于等于2的整数。

10.根据权利要求9所述的半导体器件结构，其特征在于：相邻各层所述第一掺杂类型的埋层之间的间距相等。

11.根据权利要求9所述的半导体器件结构，其特征在于：相邻各层所述第一掺杂类型的埋层之间的间距不等。