[实用新型]显示基板和显示装置有效
申请号: | 201821813897.X | 申请日: | 2018-11-05 |
公开(公告)号: | CN208753326U | 公开(公告)日: | 2019-04-16 |
发明(设计)人: | 徐健 | 申请(专利权)人: | 北京京东方技术开发有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G02F1/1343 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 姜春咸;陈源 |
地址: | 100176 北京市北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 子像素单元 像素单元 显示基板 显示装置 纯色 本实用新型 色子 锯齿 多行多列 交替设置 显示图像 行子像素 多列 模糊 | ||
1.一种显示基板,所述显示基板包括多个子像素单元,多个所述子像素单元排列为多行多列,其特征在于,多列所述子像素单元包括交替设置的纯色子像素单元列和混合色子像素单元列,所述纯色子像素单元列包括对应于同一种颜色的多个子像素单元,所述混合色子像素单元列中,相邻两个子像素单元对应的颜色不同,且在同一行子像素单元中,纯色子像素单元列中的子像素单元两侧的子像素单元对应的颜色不同。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述纯色子像素单元列包括对应于绿色的绿色子像素单元,所述混合色子像素单元列包括对应于红色的红色子像素单元和对应于蓝色的蓝色子像素单元。
3.根据权利要求2所述的显示基板,其特征在于,所述绿色子像素单元的面积小于所述红色子像素单元的面积,且所述绿色子像素单元的面积小于所述蓝色子像素单元的面积。
4.根据权利要求3所述的显示基板,其特征在于,所述绿色子像素单元的开口形状为矩形;或者
所述绿色子像素单元的开口形状为椭圆形,所述椭圆形的长轴与列方向之间存在夹角,且任意一个绿色子像素单元的长轴的倾斜方向与该绿色子像素单元周围的绿色子像素单元的长轴倾斜方向相反。
5.根据权利要求1至4中任意一项所述的显示基板,其特征在于,所述显示基板包括具有多个像素开口的像素界定层,所述子像素单元包括有机发光二极管,多个所述像素开口与多个所述子像素单元一一对应,所述有机发光二极管的至少一部分位于相应的像素开口中。
6.根据权利要求5所述的显示基板,其特征在于,所述像素开口下部的开口面积不超过所述像素开口上部的开口面积。
7.根据权利要求6所述的显示基板,其特征在于,所述像素开口的侧壁的坡度角在20°至40°之间。
8.根据权利要求7所述的显示基板,其特征在于,所述像素开口的侧壁的坡度角在26°至27°之间。
9.根据权利要求6所述的显示基板,其特征在于,所述像素开口上部的开口面积与所述像素开口下部的开口面积之比在1至1.6之间。
10.根据权利要求9所述的显示基板,其特征在于,所述有机发光二极管包括红色有机发光二极管、绿色有机发光二极管和蓝色有机发光二极管,
所述红色有机发光二极管对应的像素开口的上部的开口面积与该红色有机发光二极管对应的像素开口的下部的开口面积之比在1.45至1.55之间;
所述蓝色有机发光二极管对应的像素开口的上部的开口面积与该蓝色有机发光二极管对应的像素开口的下部的开口面积之比在1.45至1.55之间;
所述绿色有机发光二极管对应的像素开口的上部的开口面积与该绿色有机发光二极管对应的像素开口的下部的开口面积之比在1.2至1.3之间。
11.根据权利要求6所述的显示基板,其特征在于,至少一个所述子像素单元与相邻一行的至少一个不同颜色的子像素单元间存在如下关系:在行方向上的两个子像素单元的上部开口间距,小于在列方向上的两个子像素单元的上部开口间距。
12.根据权利要求11所述的显示基板,其特征在于,所述的至少一个所述子像素单元为绿色子像素单元,所述的至少一个不同颜色的子像素单元为蓝色子像素单元或红色子像素单元。
13.根据权利要求12所述的显示基板,其特征在于,所述同一行的相邻绿色子像素单元间设置一蓝色子像素单元或红色子像素单元,所述相邻绿色子像素单元的像素开口的边界形成在同一直线上或与同一直线相切,所述直线贯穿所述蓝色子像素单元的所述像素开口或红色子像素单元的所述像素开口。
14.一种显示装置,所述显示装置包括显示基板,其特征在于,所述显示基板为权利要求1至13中任意一项所述的显示基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的