[实用新型]一种采用光驱动控制的MEMS光开关有效
申请号: | 201821816485.1 | 申请日: | 2018-11-06 |
公开(公告)号: | CN211905770U | 公开(公告)日: | 2020-11-10 |
发明(设计)人: | 杨光瑶;毛焜 | 申请(专利权)人: | 成都信息工程大学 |
主分类号: | G02B6/35 | 分类号: | G02B6/35 |
代理公司: | 江阴义海知识产权代理事务所(普通合伙) 32247 | 代理人: | 杨晓华 |
地址: | 610225 四川省成都*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用光 驱动 控制 mems 开关 | ||
1.一种采用光驱动控制的MEMS光开关,其特征在于,包括第一基片、与所述第一基片相键合的第二基片;所述第一基片上集成有用于传输光信号的通信光纤、用于切换所述通信光纤光路的移动式微反射镜、用于驱动所述移动式微反射镜移动的静电执行器,所述静电执行器包括一对电极,所述一对电极包括固定设置的固定静电电极、可动设置的移动静电电极,所述移动式微反射镜设置在移动静电电极上;所述第一基片与第二基片相键合后在所述第一基片与第二基片之间形成一密闭腔室,所述密闭腔室内设置有第一对金属面,所述的第一对金属面相对靠近设置,且在所述的第一对金属面中,其中的一个金属面为具有光电效应的第一光电子发射金属面,其中的另一个金属面为用于接收光电子的第一光电子接收金属面;所述密闭腔室上设置有驱动光纤,所述驱动光纤的输出光线直接射向第一光电子发射金属面,或者通过在所述密闭腔室内的至少一次反射射向第一光电子发射金属面;所述的一对电极分别通过第一导线、第二导线与所述第一光电子发射金属面、第一光电子接收金属面对应连接。
2.根据权利要求1所述的一种采用光驱动控制的MEMS光开关,其特征在于,所述的第一光电子发射金属面与第一光电子接收金属面之间连接有导流电阻。
3.根据权利要求1所述的一种采用光驱动控制的MEMS光开关,其特征在于,还包括第二对金属面,所述的第二对金属面相互靠近设置,且在所述的第二对金属面中,其中的一个金属面为具有光电效应的第二光电子发射金属面,其中的另一个金属面为用于接收光电子的第二光电子接收金属面;所述第二光电子发射金属面通过第一稳流电阻连接第一光电子接收金属面,所述第二光电子接收金属面通过第二稳流电阻连接第一光电子发射金属面;所述驱动光纤的输出光线通过直射或在所述密闭腔室内的至少一次反射射向第二光电子发射金属面及第一光电子发射金属面。
4.根据权利要求3所述的一种采用光驱动控制的MEMS光开关,其特征在于,所述驱动光纤的输出光为紫外光,所述第一光电子发射金属面、第二光电子发射金属面发生光电效应的截止频率均小于紫外光的频率,所述第一光电子接收金属面、第二光电子接收金属面发生光电效应的截止频率比紫外光的频率要高。
5.根据权利要求3所述的一种采用光驱动控制的MEMS光开关,其特征在于,所述第二基片为硅晶片,在位于所述密闭腔室的硅晶片腔壁上通过金属沉积方法形成所述的第一光电子发射金属面、第一光电子接收金属面、第二光电子发射金属面、第二光电子接收金属面。
6.根据权利要求5所述的一种采用光驱动控制的MEMS光开关,其特征在于,所述的第一稳流电阻、第二稳流电阻中,至少其中的一个稳流电阻是通过在所述密闭腔室的硅晶片腔壁上掺杂三阶或五阶化学元素而形成。
7.根据权利要求2所述的一种采用光驱动控制的MEMS光开关,其特征在于,所述第二基片为硅晶片,在位于所述密闭腔室的硅晶片腔壁上通过掺杂三阶或五阶化学元素形成所述的导流电阻。
8.根据权利要求1所述的一种采用光驱动控制的MEMS光开关,其特征在于,所述第一基片为绝缘基片,所述第一导线、第二导线是通过在所述的第一基片上进行穿孔、并在所述的穿孔中进行金属填充所形成的导线,在所述第一基片与第二基片之间的键合界面上设置有分别连接第一光电子发射金属面和第一光电子接收金属面的导电层;所述第一导线、第二导线分别与所述的导电层对应连接。
9.根据权利要求1所述的一种采用光驱动控制的MEMS光开关,其特征在于,所述第一光电子发射金属面、第二光电子发射金属面为金属锑铯层形成的金属面,所述密闭腔室通过真空封装成为真空腔。
10.根据权利要求6或7所述的一种采用光驱动控制的MEMS光开关,其特征在于,所述三阶化学元素为硼元素,所述五阶化学元素为磷元素,在所述密闭腔室的所述电阻的外露表面覆盖有绝缘薄膜,所述第一光电子发射金属面、第一光电子接收金属面、第二光电子发射金属面、第二光电子接收金属面为反光金属面。
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