[实用新型]半导体设备有效
申请号: | 201821819777.0 | 申请日: | 2018-11-06 |
公开(公告)号: | CN209401595U | 公开(公告)日: | 2019-09-17 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 智云 |
地址: | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 干泵 半导体设备 反应腔体 隔离阀门 本实用新型 第一管道 残余气体 停止运行 回灌 晶圆 良率 取出 | ||
本实用新型提供了一种半导体设备,所述半导体设备包括反应腔体以及干泵,其中所述反应腔体与所述干泵之间通过第一管道连接,所述第一管道上设置有一隔离阀门,所述干泵控制所述隔离阀门的开启和关闭。本实用新型提供的半导体设备,当干泵停止运行时,可以即时关闭所述隔离阀门,有效避免了管道生成物和干泵抽取出的残余气体回灌至反应腔体中,确保了反应腔体中晶圆的良率。
技术领域
本实用新型涉及半导体制造技术领域,特别涉及一种半导体设备。
背景技术
半导体设备一般包括有干泵和反应腔体,其中,干泵和反应腔体通过管道连接,所述管道上设置有一阀门,当阀门开启时,所述管道导通,通过运行所述干泵抽取所述反应腔体中的残余气体,来对所述反应腔体执行抽真空处理,使得所述反应腔体处于真空状态,以便对所述反应腔体中的晶圆进行工艺制程,并最终制造出半导体集成电路。
当干泵出现异常而导致其停止运行时,所述半导体设备会控制所述阀门关闭,以使所述管道闭塞,进而避免了由于所述干泵中的气压和所述反应腔体中的气压存在压差,而导致所述干泵抽取出的残余气体经由所述管道回灌至所述反应腔体中的情况发生。
但是,相关技术中,当所述干泵停止运行后,所述阀门不能够即时关闭,会导致所述干泵抽出的残余气体经由所述管道部分回灌至所述反应腔体中,污染反应腔体与晶圆,影响反应腔体中晶圆的良率。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种半导体设备,以解决现有半导体设备中当所述干泵停止运行后,所述阀门不能够即时关闭的问题。所述半导体设备包括反应腔体以及干泵,其中,所述反应腔体与所述干泵之间通过第一管道连接,所述第一管道上设置有一隔离阀门,所述干泵控制所述隔离阀门的开启和关闭;以及,当所述干泵运行时,所述干泵经由所述第一管道抽取所述反应腔体中的残余气体。
可选的,当所述干泵运行时,所述干泵控制所述隔离阀门开启,以使所述第一管道导通;当所述干泵停止运行时,所述干泵控制所述隔离阀门关闭,以使所述第一管道闭塞。
可选的,所述第一管道包括主管道、第一子管道和第二子管道,所述第一子管道和第二子管道的一端均连接至所述反应腔体,所述第一子管道和第二子管道的另一端均交汇至所述主管道,所述主管道连接至所述干泵,以及所述隔离阀门设置在所述主管道上,用于控制所述主管道导通或闭塞。
可选的,所述半导体设备还包括涡轮泵、第一阀门以及第二阀门;其中,所述涡轮泵与所述第一阀门均设置于所述第一子管道上,所述第一阀门用于控制所述第一子管道导通或闭塞;所述第二阀门设置于所述第二子管道上,用于控制所述第二子管道导通或闭塞。
可选的,当所述干泵运行时,所述干泵控制所述隔离阀门开启,所述第一阀门开启,所述第二阀门关闭,以使所述主管道和所述第一子管道连通,并且所述涡轮泵与所述干泵同时运行,以使得所述反应腔体处于高真空状态,当所述干泵停止运行时,所述隔离阀门先于所述第一阀门关闭。
可选的,当所述干泵运行时,所述干泵控制所述隔离阀门开启,所述第一阀门关闭,所述第二阀门开启,以使所述主管道和所述第二子管道连通,使所述反应腔体处于低真空状态,当所述干泵停止运行时,所述隔离阀门先于所述第二阀门关闭。
可选的,所述半导体设备还包括净化器以及排气量计,其中,所述净化器与所述干泵通过第二管道连接,并且所述排气量计设置于所述第二管道上。
可选的,所述干泵与所述隔离阀门通过导线连接,当所述干泵运行时,所述干泵向所述隔离阀门发送电流信号,以控制所述隔离阀门开启,当所述干泵停止运行时,所述干泵停止向所述隔离阀门发送电流信号,以使所述隔离阀门关闭,从而使得所述第一管道闭塞。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造