[实用新型]新型磁控溅射镀膜机的真空容器结构

说明书

本实用新型公开了一种新型磁控溅射镀膜机的真空容器结构，其包括真空腔体、腔门、镀膜单元和抽气口，所述真空腔体的腔壁的上间隔设有若干所述的镀膜单元，任意两两相邻的镀膜单元之间的位置上均设有一抽气口。本实用新型的结构设计巧妙、合理，工艺气体从镀膜单元中间进入，分左右两边从抽气口抽出，使得工艺气体在镀膜区域分布更均匀，因而镀制的薄膜更均匀，膜层质量更好；而且相邻两镀膜单元之间存在有抽气口，可以隔绝两个镀膜单元的工艺气体，避免相邻两个镀膜单元的工艺气体相互干扰，进一步提升镀膜质量；同时由于镀膜单元是分开的，所以单次温升会小很多，更能及时有效降低镀膜过程中基材的热量积累，利于低温镀膜，保证产品质量。

技术领域

本实用新型涉及磁控溅射镀膜机技术领域，具体涉及一种新型磁控溅射镀膜机的真空容器结构。

背景技术

目前，真空磁控溅射镀膜机是对金属表面进行镀膜的专用设备，其可适用于镀制耐磨损的涂层。现有技术的真空磁控溅射镀膜机，包括抽气系统1、真空容器2和设置在真空容器内的工件转架以及设置在真空容器上的镀膜单元3，可利用物理气相沉积技术在工件表面沉积一层几个微米薄的金属层。

现有的镀膜单元一般采用左右对称分布在真空容器上，具体结构参见图1，而真空容器上仅设有一抽气口，其的工艺气体抽气示意参见图2。在镀膜时，具体有以下不足：1、镀膜时，在镀制两种或多种不同工艺的薄膜时，相邻两个镀膜单元3很容易造成气氛在成分，数量上的干扰，影响膜层质量；2、不耐热基材镀膜时，靶材溅射产生的热量会导致基材温度升高。温升过快主要会导致两个后果，一是材料放气量瞬间加大，影响镀膜质量；二是严重时会使基材变形；并且由于磁控靶连续分布，基材单次通过镀膜单元时持续镀膜时间长，镀膜功率越大，基材热量积累越大，期间得不到冷却，因而越容易造成上述所说温升过快导致的不良后果，难以保证镀膜质量。

实用新型内容

针对上述不足，本实用新型的目的在于，提供一种结构设计合理，能提升镀膜质量的新型磁控溅射镀膜机的真空容器结构。

为实现上述目的，本实用新型所提供的技术方案是：一种新型磁控溅射镀膜机的真空容器结构，其包括真空腔体、腔门、镀膜单元和抽气口，所述真空腔体的腔壁的一部分上设有开口，所述腔门设置在真空腔体上，并能将所述开口封闭，所述真空腔体的腔壁的另一部分上呈圆心对称间隔设有若干所述的镀膜单元，任意两两相邻的镀膜单元之间的位置上均设有一抽气口。

作为本实用新型的一种改进，所述镀膜单元的数量为四个。

作为本实用新型的一种改进，所述抽气口的数量为三个。

作为本实用新型的一种改进，所述抽气口与抽气系统相连接。

作为本实用新型的一种改进，所述抽气系统中设有冷却装置。

作为本实用新型的一种改进，所述真空腔体的中心位置设有工件转架。

作为本实用新型的一种改进，所述镀膜单元上设有流量计。

本实用新型的有益效果为：本实用新型的结构设计巧妙，合理将镀膜单元和抽气口间隔排布，任意两两相邻的镀膜单元之间均采用一抽气口进行隔开，工艺气体从镀膜单元中间进入，分左右两边从抽气口抽出，使得工艺气体在镀膜区域分布更均匀，因而镀制的薄膜更均匀，膜层质量更好；而且相邻两镀膜单元之间存在有抽气口，可以隔绝两个镀膜单元的工艺气体，避免相邻两个镀膜单元的工艺气体相互干扰，进一步提升镀膜质量；同时由于镀膜单元是分开的，所以单次温升会小很多，更能及时有效降低镀膜过程中基材的热量积累，利于低温镀膜，保证产品质量。

下面结合附图与实施例，对本实用新型进一步说明。

附图说明

图1是传统的磁控溅射镀膜机结构示意图。

图2是传统的磁控溅射镀膜机的工艺气体抽气示意图。