[实用新型]图像传感器封装有效
申请号: | 201821829577.3 | 申请日: | 2018-11-08 |
公开(公告)号: | CN209401627U | 公开(公告)日: | 2019-09-17 |
发明(设计)人: | 徐守谦 | 申请(专利权)人: | 半导体元件工业有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 欧阳帆 |
地址: | 美国亚*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图像传感器封装 图像传感器芯片 第一层 透光覆盖物 本实用新型 包封材料 电触点 图像传感器 侧壁 腔体 涂覆 开口 穿过 | ||
本实用新型题为“图像传感器封装”。本实用新型公开了一种图像传感器封装。该图像传感器封装的实施方式可包括图像传感器芯片、第一层以及透光覆盖物,该第一层包括穿过其的开口,其被耦接到图像传感器芯片的第一侧,该透光覆盖物耦接到第一层。该透光覆盖物、第一层和图像传感器芯片可在图像传感器内形成腔体。图像传感器封装还可包括至少一个电触点和包封材料,该至少一个电触点耦接到图像传感器芯片的与第一侧相对的第二侧,该包封材料涂覆图像传感器封装的侧壁的全部。
技术领域
本文档的方面整体涉及图像传感器半导体封装,诸如CMOS图像传感器芯片级封装(CISCSP)。
背景技术
传统上,图像传感器封装已被设计成将湿气和其他污染物阻挡在封装之外,以确保图像传感器封装的适当性能。传统上,将干膜或树脂施加到玻璃盖,并且然后使用干膜或树脂将玻璃盖附接到衬底以密封图像传感器封装。由于图像传感器封装变得越来越小,管芯处理缺陷的风险也日益上升,继而,湿气和其他污染物损害图像传感器封装性能的风险也日益增大。
实用新型内容
图像传感器封装的实施方式可包括图像传感器芯片、第一层以及透光覆盖物,该第一层包括穿过其的开口,其被耦接到图像传感器芯片第一侧,该透光覆盖物耦接到第一层。透光覆盖物、第一层和图像传感器芯片可在图像传感器内形成腔体。图像传感器封装还可包括至少一个电触点和包封材料,该至少一个电触点耦接到图像传感器芯片的与第一侧相对的第二侧,该包封材料涂覆图像传感器封装的侧壁的全部。
图像传感器封装的实施方式可包括以下各项中的一者、全部或任一者:
再分布层可覆盖图像传感器芯片的第二侧。
包封材料可包括焊料掩模。
至少一个电触点可为凸块。
包封材料可横跨封装的侧壁上的所有界面。
包封材料可基本上覆盖封装的五个侧面。
图像传感器封装的实施方式可包括:图像传感器芯片;第一层,第一层可包括被耦接到图像传感器芯片的第一侧的多个阻挡部;透光覆盖物,透光覆盖物可耦接到多个阻挡部,其中透光覆盖物、多个阻挡部和图像传感器芯片可在图像传感器封装内形成腔体;再分布层,再分布层可覆盖图像传感器芯片的与第一侧相对的第二侧;至少一个电触点,至少一个电触点可耦接到图像传感器芯片的第二侧;和包封材料,包封材料可涂覆图像传感器封装的侧壁的全部。
图像传感器封装的实施方式可包括以下各项中的一者、全部或任一者:
包封材料可包括焊料掩模。
包封材料可横跨封装的侧壁上的所有界面。
包封材料可基本上覆盖封装的五个侧面。
用于形成图像传感器封装的方法的实施方式可包括将透光覆盖物的第一侧耦接到载体,以及通过将晶圆上的第一层耦接到透光覆盖物的第二侧来在透光覆盖物与晶圆之间形成多个腔体,该第一层包括穿过其中的多个开口。该方法还可包括形成穿过透光覆盖物的厚度的多个沟槽,用包封材料填充多个沟槽,并且通过以减材方式移除多个沟槽的一部分中的包封材料并移除载体来将晶圆和透光覆盖物分割成多个图像传感器封装。
用于形成图像传感器封装的方法的实施方式可包括以下各项中的一者、全部或任一者:
该方法可包括形成穿过晶圆的厚度的多个沟槽。
包封材料可为焊料掩模。
以减材方式移除可包括锯切和蚀刻中的一者。
载体可通过以下其中一种方式来移除:加热载体,以及用紫外辐射来照射载体。
该方法可包括将至少一个电触点耦接到晶圆,其中至少一个电触点延伸至图像传感器封装的外部。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的