[实用新型]显示基板和显示装置有效
申请号: | 201821835171.6 | 申请日: | 2018-11-08 |
公开(公告)号: | CN208753327U | 公开(公告)日: | 2019-04-16 |
发明(设计)人: | 龙春平 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G09G3/3208 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 姜春咸;陈源 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示基板 显示装置 图形层 辅助金属 本实用新型 电源线 电源线电连接 厚度方向间隔 多条电源线 电阻压降 显示效果 像素单元 并联 | ||
1.一种显示基板,其特征在于,所述显示基板包括沿所述显示基板的厚度方向间隔设置的第一图形层和第二图形层,所述第一图形层包括至少一条辅助金属线,所述第二图形层包括多条电源线,每条所述辅助金属线通过多个过孔分别与多条所述电源线电连接,以使得所述辅助金属线与所述电源线电连接。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述电源线的延伸方向与所述辅助金属线的延伸方向垂直。
3.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述第二图形层还包括多条数据线,所述电源线的延伸方向与所述数据线的延伸方向平行。
4.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述显示基板包括多个像素单元,每个像素单元内均设置有像素电路和有机发光二极管,所述像素电路包括驱动晶体管和存储电容,所述存储电容的第一电极板与所述电源线电连接,所述存储电容的第二电极板与和该存储电容位于同一像素单元中的驱动晶体管的栅极电连接,其中,所述第一图形层还包括多个所述第一电极板,所述显示基板包括与所述第一图形层沿所述显示基板的厚度方向绝缘间隔的第三图形层,所述第三图形层包括多个所述第二电极板。
5.根据权利要求4所述的显示基板,其特征在于,所述第三图形层还包括所述驱动晶体管的栅极。
6.根据权利要求4或5所述的显示基板,其特征在于,所述像素电路还包括数据写入晶体管、第一发光控制晶体管、第二发光控制晶体管、复位晶体管和补偿模块;
所述驱动晶体管的源极与所述第一发光控制晶体管的漏极电连接,所述驱动晶体管的栅极与所述存储电容的第一电极板电连接,所述驱动晶体管的漏极与所述第二发光控制晶体管的源极电连接;
所述第一发光控制晶体管的源极与高电平信号端电连接,所述第一发光控制晶体管的栅极与发光控制信号线电连接;
所述第二发光控制晶体管的漏极与有机发光二极管的阳极电连接,所述第二发光控制晶体管的栅极与所述发光控制信号线电连接;
所述复位晶体管的源极与所述驱动晶体管的栅极电连接,所述复位晶体管的漏极与复位信号端电连接,所述复位晶体管的栅极与复位控制信号线电连接;
所述数据写入晶体管的源极与数据信号写入端电连接,所述数据写入晶体管的漏极与所述驱动晶体管的源极电连接,所述数据写入晶体管设置为该数据写入晶体管的源极与该数据写入晶体管的漏极在该数据写入晶体管的栅极接收到有效的控制信号时导通;
所述补偿模块的第一端与所述驱动晶体管的栅极电连接,所述补偿模块的第二端与所述驱动晶体管的漏极电连接,所述补偿模块用于在该补偿模块的控制端接收到有效的控制信号时将所述驱动晶体管的漏极和所述驱动晶体管的栅极电连接,以使得所述存储电容存储所述驱动晶体管的阈值电压。
7.根据权利要求6所述的显示基板,其特征在于,所述补偿模块包括第一补偿晶体管和第二补偿晶体管,所述第一补偿晶体管的栅极与所述第二补偿晶体管的栅极电连接,并形成为所述补偿模块的控制端,所述第一补偿晶体管的源极与所述第二补偿晶体管的漏极电连接,所述第一补偿晶体管的漏极与所述驱动晶体管的漏极电连接,所述第二补偿晶体管的源极与所述驱动晶体管的栅极电连接。
8.根据权利要求7所述的显示基板,其特征在于,所述驱动晶体管的有源层、所述数据写入晶体管的有源层、所述第一发光控制晶体管的有源层、所述第二发光控制晶体管的有源层、所述复位晶体管的有源层、所述第一补偿晶体管的有源层和所述第二补偿晶体管的有源层形成为一体结构。
9.根据权利要求8所述的显示基板,其特征在于,所述显示基板包括衬底和形成在所述衬底上的缓冲层,所述有源层形成在所述缓冲层上。
10.根据权利要求9所述的显示基板,其特征在于,所述衬底由聚氨酯材料制成,所述有源层由多晶硅材料制成,所述缓冲层由硅的氧化物和/或硅的氮化物制成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的