[实用新型]硅通孔信号导通控制电路和三维集成电路

说明书

本实用新型提供一种硅通孔信号导通控制电路和三维集成电路，包括两个信号导通控制电路。第一信号导通控制电路，连接硅通孔的第一端，用于控制信号通过第一端输入至硅通孔内部，或由硅通孔内部通过第一端输出。第二信号导通控制电路，连接硅通孔的第二端，用于控制信号通过第二端输入至硅通孔内部，或由硅通孔内部通过第二端输出。本实用新型硅通孔的任一端都可以作为信号输入端，也可以作为信号输出端。两个端口配合，可以实现信号沿不同的方向传入或传出硅通孔，信号传输方式增多，提高了硅通孔信号传输能力。

技术领域

本实用新型涉及三维集成技术领域，具体而言，涉及一种硅通孔信号导通控制电路和三维集成电路。

背景技术

随着集成电路的不断发展，当半导体工艺器件进展到纳米级别后，进一步利用减小特征尺寸来提高集成度越来越难，而三维集成的堆叠芯片成为另一种提高集成度的可能形式。

硅通孔(Through Silicon Via，TSV)技术是三维集成电路中堆叠芯片实现互连的一种方式，即在硅晶圆或裸芯上适当的位置制作垂直通孔，实现硅晶圆或裸芯之间的电连接。硅通孔技术使芯片在三维方向堆叠的密度更大、芯片之间的互连线更短、外形尺寸更小，制造出结构更复杂、性能更强大、更低成本的芯片。

目前硅通孔的端口只能固定作为信号的输入端或输出端，信号只能沿预定的传输方向传输，功能较单一。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种硅通孔信号导通控制电路，解决现有硅通孔信号传输方向无法调整的问题。

根据本实用新型的一个方面，提供一种硅通孔信号导通控制电路，包括：

第一信号导通控制电路，连接硅通孔的第一端，用于控制信号由集成电路通过所述第一端输入至所述硅通孔内部，或由所述硅通孔内部通过所述第一端输出至集成电路；

第二信号导通控制电路，连接硅通孔的第二端，用于控制信号由集成电路通过所述第二端输入至所述硅通孔内部，或由所述硅通孔内部通过所述第二端输出至集成电路。

在本实用新型的一种示例性实施方式中，所述第一信号导通控制电路和第二信号导通控制电路均包括：

信号输入端和信号输出端，共同连接于所述硅通孔的一端；

第一开关元件，位于所述信号输入端和所述硅通孔的一端之间，用于控制所述信号由所述信号输入端传入所述硅通孔；

第二开关元件，位于所述信号输出端和所述硅通孔的一端之间，用于控制所述信号由所述信号输出端传出所述硅通孔。

在本实用新型的一种示例性实施方式中，所述第一开关元件为第一传输门，所述第二开关元件为第二传输门，所述第一传输门和第二传输门均采用CMOS传输门。

在本实用新型的一种示例性实施方式中，所述第一传输门和第二传输门接受同一互补控制信号。

在本实用新型的一种示例性实施方式中，还包括：反相器，连接所述第一传输门和第二传输门用于产生所述互补控制信号。

在本实用新型的一种示例性实施方式中，所述第一传输门和第二传输门接受不同互补控制信号。

在本实用新型的一种示例性实施方式中，还包括：

第一反相器，连接所述第一传输门，用于产生所述第一传输门需要的互补控制信号；

第二反相器，连接所述第二传输门，用于产生所述第二传输门需要的互补控制信号。

在本实用新型的一种示例性实施方式中，还包括：缓冲器，连接所述信号输出端。

根据本实用新型的另一个方面，还提供一种三维集成电路，包括：

多个芯片，所述多个芯片层叠设置；