[实用新型]阵列基板、显示面板以及显示装置

说明书

本实用新型公开一种阵列基板、显示面板以及显示装置，其中，该阵列基板包括：栅极驱动电路，所述栅极驱动电路包括：第一金属层；第二金属层；介电层，设于所述第一金属层与第二金属层之间；电极层，位于所述第二金属层远离第一金属层的一侧；所述电极层与所述第一金属层电连接；以及绝缘层，设于所述电极层与所述第二金属层之间；其中，在垂直所述阵列基板板面的方向上，所述电极层与所述第二金属层至少部分重叠设置，以形成所述栅极驱动电路的第一存储电容，所述绝缘层的厚度小于所述介电层的厚度。本实用新型技术方案能减小GOA驱动电路存储电容的平面面积，从而实现显示装置的窄边框。

技术领域

本实用新型涉及显示装置技术领域，特别涉及一种阵列基板、显示面板以及显示装置。

背景技术

显示屏的工艺架构，以驱动设计来划分，可以分为芯片驱动(System on chip，简称SOC)和阵列门驱动(Gate driver on array，简称GOA)两种。然而，GOA在面板设计上是一项重要技术，其利用阵列基板曝光显影方式，将栅极驱动成型在玻璃上，进而产生逻辑电路以驱动栅极讯号线，即栅极驱动电路，如此，避免了引入栅极驱动器，能有效降低液晶显示面板的成本，因此，采用GOA驱动的显示屏得到了广泛的应用。

对于GOA电路而言，其必须配备有存储电容，以在晶体管关闭后维持各个像素区域的电压，从而为液晶提供响应时间。现有技术中，该存储电容通过与栅极层同层的第一金属层、与源漏极层同层的第二金属层以及夹持于第一金属层、第二金属层之间的介电层共同形成，随着如今液晶显示产品每英寸像素(Pixels Per Inch，简称PPI)的提高，对存储电容的容量也提出了更高的要求，由存储电容的公式Holding C＝ε₀ε_rA/d可知，由于第一金属层和第二金属层之间的距离d(即介电层的厚度较大)，以致为了获得较大的存储电容容量，只能尽量增大第一金属层和第二金属层的平面面积A，然而，第一金属层和第二金属层占用过大的平面面积，又会与液晶显示产品的窄边框需求产生冲突。

综上，基于液晶显示产品高解析度和窄边框的需求，仍未需找到合适的GOA存储电容设计。

实用新型内容

本实用新型的主要目的是提出一种阵列基板，旨在解决现有技术中GOA驱动电路通过增大存储电容的平面面积以增大电容容量，而无法满足显示产品的窄边框需求的技术问题。

为实现上述目的，本实用新型提出的阵列基板，包括栅极驱动电路，所述栅极驱动电路包括：

第一金属层；

第二金属层，位于所述第一金属层的一侧；

介电层，设于所述第一金属层与第二金属层之间；

电极层，位于所述第二金属层远离第一金属层的一侧；所述电极层与所述第一金属层电连接；以及

绝缘层，设于所述电极层与所述第二金属层之间；其中，

在垂直所述阵列基板板面的方向上，所述电极层与所述第二金属层至少部分重叠设置，以形成所述栅极驱动电路的第一存储电容，所述绝缘层的厚度小于所述介电层的厚度。

可选地，所述绝缘层的厚度为所述介电层的1/3～3/5。

可选地，所述绝缘层的厚度范围为1000μm～3000μm。

可选地，在垂直所述阵列基板板面的方向上，所述电极层的投影面积完全覆盖所述第二金属层的投影面积。

可选地，在垂直所述阵列基板板面的方向上，所述第一金属层与所述第二金属层至少部分重叠设置，以形成所述栅极驱动电路的第二存储电容。

可选地，在垂直所述阵列基板板面的方向上，所述第一金属层的投影面积完全覆盖所述第二金属层的投影面积。