[实用新型]放大器、输入接收器以及芯片

说明书

本实用新型提供一种放大器、输入接收器以及芯片。放大器，包括第一晶体管、第二晶体管和温控单元，第一晶体管的栅极接入偏置电压，第一晶体管一端与输入对管的源极连接，另一端接地，第一晶体管用于产生第一尾电流；第二晶体管一端连接于第一晶体管和输入对管的源极连接线之间，第二晶体管的另一端接地，第二晶体管用于产生第二尾电流；温控单元与第二晶体管的栅极连接，温控单元用于根据检测的第一晶体管的温度，调节第二晶体管栅极接入的电压，使第一尾电流和第二尾电流之和保持恒定值。本实用新型通过调节第二尾电流，保持整体尾电流的稳定，从而减弱或消除了第一晶体管温度对尾电流的影响，使放大器电路的工作状态稳定在所需性能。

技术领域

本实用新型涉及半导体存储器，具体涉及一种放大器、输入接收器以及芯片。

背景技术

动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，简称DRAM)的输入接收器(Input Receiver)中，通过两级的输入缓冲器(Input Buffer)将较小的输入信号，放大为轨对轨(Rail-to-Rail)的全摆幅(Full Swing)信号使内部电路正常工作。两级输入缓冲器为不同结构的放大器。

但是，由于MOS管的电流会受到温度变化的影响，放大器的尾电流就会随着温度变化而变化，导致放大器的静态工作电压和预期不同，从而影响放大器的性能，使输入接收器的性能和预期值有一定误差。

实用新型内容

本实用新型提供一种放大器、输入接收器以及芯片，以缓解或解决现有技术中至少一个技术问题。

第一方面，本实用新型实施例提供了一种放大器，包括：

第一晶体管，所述第一晶体管的栅极接入偏置电压(EN)，所述第一晶体管一端与输入对管的源极(U)连接，所述第一晶体管的另一端接地(GND)，所述第一晶体管用于产生第一尾电流；

第二晶体管，所述第二晶体管一端连接于所述第一晶体管和所述输入对管的源极连接线之间，所述第二晶体管的另一端接地，所述第二晶体管用于产生第二尾电流；

温控单元，所述温控单元与所述第二晶体管的栅极连接，所述温控单元用于根据温度传感器检测的第一晶体管的温度，调节所述第二晶体管栅极接入的电压，使所述第一尾电流和所述第二尾电流之和保持恒定值。

在一种实施方式中，还包括差分单元，所述差分单元包括：

第一电阻，所述第一电阻一端与电源电压(VCC)连接；

第二电阻，所述第二电阻一端与电源电压连接；

第三晶体管，所述第三晶体管的漏极与所述第一电阻另一端连接，所述第三晶体管的栅极接输入电压；

第四晶体管，所述第四晶体管的漏极与所述第二电阻另一端连接，所述第四晶体管的栅极接基准电压(Vref)，所述第三晶体管的源极和所述第四晶体管的源极的连接点作为所述输入对管的源极与所述第一晶体管的漏极连接；

第一放大输出端，所述第一放大输出端设置于所述第一电阻与所述第三晶体管连接线上；

第二放大输出端，所述第二放大输出端设置于所述第二电阻与所述第四晶体管连接线上。

在一种实施方式中，还包括运算放大单元，所述运算放大单元包括：

第五晶体管，所述第五晶体管的栅极与所述第一放大输出端连接；

第六晶体管，所述第六晶体管的栅极与所述第二放大输出端连接，所述第五晶体管的源极与所述第六晶体管的源极的连接点作为所述输入对管的源极与所述第一晶体管的漏极连接；

第七晶体管，所述第七晶体管的源极与电源电压连接，所述第七晶体管的漏极与所述第五晶体管的漏极连接；