[实用新型]放射自显影系统有效
| 申请号： | 201821843799.0 | 申请日： | 2018-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN209132180U | 公开（公告）日： | 2019-07-19 |
| 发明（设计）人： | 牛明;花城;刘彤;华越轩;肖鹏;谢庆国 | 申请（专利权）人： | 苏州瑞派宁科技有限公司;华中科技大学 |
| 主分类号： | G01N23/00 | 分类号： | G01N23/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215163 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 放射自显影 光电转换器 闪烁晶体阵列 本实用新型 芯片 耦合层 成像 信号处理装置 空间分辨率 采样结果 动态探测 探测装置 显示装置 芯片连接 耦合 采样 光导 | ||
1.一种放射自显影系统，其特征在于，包括：
探测装置，其包括闪烁晶体阵列和光电转换器阵列，并且所述闪烁晶体阵列与所述光电转换器阵列通过耦合层或者耦合层与光导的组合来耦合；
信号处理装置，其包括用于对所述光电转换器阵列产生的电信号进行采样的第一芯片和用于对所述第一芯片的采样结果进行处理的第二芯片；以及
显示装置，其与所述第二芯片连接。
2.根据权利要求1所述的放射自显影系统，其特征在于，当所述闪烁晶体阵列包括多个闪烁晶体时，每两个所述闪烁晶体之间的间隙为0.04mm～0.2mm，并且所述闪烁晶体阵列的总厚度小于400mm。
3.根据权利要求1所述的放射自显影系统，其特征在于，当目标样品的厚度为20μm～100μm时，每两个所述闪烁晶体阵列之间的间距均为1mm～10mm。
4.根据权利要求1所述的放射自显影系统，其特征在于，所述光电转换器阵列包括硅光电倍增器、光电倍增管、电荷耦合器件和雪崩光电二极管中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的放射自显影系统，其特征在于，所述耦合层由光学胶水、硅胶、AB胶和/或UV胶组成。
6.根据权利要求1所述的放射自显影系统，其特征在于，所述光导的透光率大于90％，并且所述光导包括亚克力片、光学玻璃和/或光纤丝。
7.根据权利要求1所述的放射自显影系统，其特征在于，所述光导被部分切割或全切割，并且所述光导的切割缝隙的宽度为0.1mm～0.5mm。
8.根据权利要求1所述的放射自显影系统，其特征在于，所述光导为单层或多层结构，并且所述光导的总厚度为0.1mm～10mm。
9.根据权利要求1所述的放射自显影系统，其特征在于，所述探测装置还包括：
信号复用电路，其与所述光电转换器阵列以及所述第一芯片连接，并且所述信号复用电路包括以下电路中的至少一种：电阻网络复用电路、电容网络复用电路、传输线复用电路、十字交叉复用电路和射频线圈复用电路。
10.根据权利要求1所述的放射自显影系统，其特征在于，所述第一芯片上设置有依次连接的整形电路、校正电路和模数转换器和/或设置有相互连接的比较器和数模转换器；所述第二芯片为FPGA芯片。
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