[实用新型]复合开关、半桥桥臂电路结构及整流电路

权利要求书

1.一种复合开关，其特征在于，包括：

增强型氮化镓晶体管，具有一栅极、源极及漏极；及

二极管，具有一阳极及阴极，所述阴极电性连接于所述漏极，所述阳极电性连接于所述源极，使得所述二极管反并联连接于所述增强型氮化镓晶体管；

其中，当所述栅极与所述源极间未施加驱动电压时，所述二极管的正向导通压降小于所述增强型氮化镓晶体管的所述源极及所述漏极之间的反向导通压降。

2.如权利要求1所述的复合开关，其特征在于，当所述源极和所述漏极出现浪涌电流时，所述二极管为所述浪涌电流的释放通路。

3.如权利要求1所述的复合开关，其特征在于，所述复合开关还包含控制模块，所述控制模块耦接所述增强型氮化镓晶体管的所述栅极。

4.如权利要求3所述的复合开关，其特征在于，所述控制模块检测所述复合开关的漏极电压，根据所述漏极电压输出驱动信号控制所述增强型氮化镓晶体管开关或者闭合。

5.如权利要求4所述的复合开关，其特征在于，所述控制模块设置一第一参考电压和一第二参考电压，其中，所述第二参考电压高于所述第一参考电压。

6.如权利要求5所述的复合开关，其特征在于，在复合开关正常工作过程中，当所述漏极电压低于所述第一参考电压时，所述控制模块控制所述增强型氮化镓晶体管导通；当所述漏极电压高于所述第二参考电压时，所述控制模块控制所述增强型氮化镓晶体管关断。

7.一种半桥桥臂电路结构，其特征在于，包括第一复合开关及第二复合开关，所述第一复合开关及第二复合开关为上述权利要求1-6任一项所述的复合开关，所述第一复合开关的增强型氮化镓晶体管的源极与所述第二复合开关的增强型氮化镓晶体管的漏极电性连接。

8.一种具升压功能的整流电路，其特征在于，所述整流电路的第一桥臂由权利要求7所述的半桥桥臂电路结构构成，其中，所述整流电路还包括一第二桥臂，包括彼此串联的一第三开关管和一第四开关管，所述第三开关管的第二端与所述第四开关管的第一端相连接并且藉由一第一电感元件耦接至一交流电源的第一端；所述第一复合开关与所述第二复合开关的公共端连接至所述交流电源的第二端；以及一输出电容，所述输出电容的一端电性连接于所述第一复合开关的漏极，所述输出电容的另一端电性连接于所述第二复合开关的源极。

9.如权利要求8所述的整流电路，其特征在于，还包括串联的一第一浪涌二极管和一第二浪涌二极管，所述第一浪涌二极管的阴极连接至所述第三开关管的第一端，所述第二浪涌二极管的阳极连接至所述第四开关管的第二端，所述第一浪涌二极管的阳极与所述第二浪涌二极管的阴极连接至所述交流电源的第一端。

10.如权利要求9所述的整流电路，其特征在于，当所述交流电源的第一端与第二端之间为正向电压时，浪涌电流依次经由所述第一浪涌二极管、所述输出电容和所述第二复合开关的二极管形成释放回路。

11.如权利要求9所述的整流电路，其特征在于，当所述交流电源的第一端与第二端之间为负向电压时，浪涌电流依次经由所述第一复合开关的二极管、所述输出电容和所述第二浪涌二极管形成释放回路。

12.一种整流电路，其特征在于，包括第一复合开关、第二复合开关、第三复合开关及第四复合开关，其电性连接构成的全桥电路结构，所述第一复合开关、第二复合开关、第三复合开关及第四复合开关为上述权利要求1所述的复合开关。