[实用新型]LED显示器有效
申请号: | 201821856694.9 | 申请日: | 2018-11-12 |
公开(公告)号: | CN209045555U | 公开(公告)日: | 2019-06-28 |
发明(设计)人: | 严光能 | 申请(专利权)人: | 严光能 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L21/77 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 刘翔 |
地址: | 529600 广东省阳江市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 微孔 金属层 驱动单元 驱动层 显示器技术领域 本实用新型 显示分辨率 电气互连 依次叠加 有效隔离 电连接 导出 基底 嵌有 一体化 散发 | ||
本实用新型涉及显示器技术领域,提供了一种LED显示器,所述LED显示器包括在基底上依次叠加设置的金属层和驱动层,所述金属层中形成有多个微孔,每个微孔中均嵌有LED芯片,所述驱动层包括与所述多个微孔一一对应的驱动单元,每个驱动单元均与对应微孔内的LED芯片电连接。所述LED显示器有利于降低LED芯片与对应的驱动单元之间实现电气互连的难度,提高显示分辨率,并且,一体化的金属层可将LED芯片在工作时散发的热量导出,金属层可有效隔离位于相邻微孔中的LED芯片发出的光线,均有利于提升LED显示器的性能。
技术领域
本实用新型涉及显示器技术领域,尤其涉及一种LED显示器。
背景技术
LED(Light Emitting Diode,发光二极管)显示技术是将传统的LED 光源微小化和矩阵化并采用半导体驱动电路来实现对每一个像素点定址控制和单独驱动的显示技术。LED显示技术可用于大尺寸的电脑、电视、广告用显示器,也可用于微型显示器,由于LED显示为自发光显示,并且在亮度、寿命、对比度、反应时间、能耗、可视角度和分辨率的综合性能较佳,因而具有广阔的应用前景。
LED显示器通常包括阵列分布的LED芯片(作为像素点)以及用于控制LED芯片的驱动阵列以及外围电路,其中LED芯片被贴附在形成有驱动阵列的基板上再与对应的驱动元件利用金属线键合等方法进行电气互连,目前的LED显示器技术在以下几个方面仍需要改进:一、如何改进 LED芯片与对应的驱动元件之间的电气互连方式以提高分辨率;二、由于温度的升高可能导致LED芯片的光效下降,中心波长的漂移,甚至失效,因而需提供有效的散热方式;三、由于通常LED芯片发出的光线可通过其各个表面出射,为了减小相邻像素间的干扰,LED芯片间需有效隔离。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种LED显示器,所述LED显示器可用于高分辨率显示,其中作为像素点的LED芯片被相互隔离以减小干扰,并且具有较好的散热效果。
本实用新型提供了一种LED显示器,包括:
基底;设置于所述基底上的金属层,所述金属层中形成有多个微孔,每个所述微孔中均嵌有LED芯片;以及设置于所述金属层上的驱动层,所述驱动层包括与所述多个微孔一一对应的驱动单元,每个所述驱动单元均与对应微孔内的LED芯片电连接。
可选的,所述基底上还设置有外围电路,所述外围电路与所述多个驱动单元电连接;所述金属层与所述外围电路中的公共电极线连接。
可选的,所述LED芯片包括第一电极和第二电极,其中,所述第一电极与对应的所述驱动单元电连接,所述第二电极与所述金属层电连接。
可选的,所述LED芯片为电极同面芯片,所述第一电极和所述第二电极均位于所述LED芯片的远离所述基底的上表面一侧,对应的所述微孔贯穿所述金属层;或者,所述LED芯片为电极异面芯片,所述第一电极位于所述LED芯片的远离所述基底的上表面一侧,所述第二电极位于所述LED 芯片的靠近所述基底上表面的一侧,对应的所述微孔的深度小于所述金属层的厚度。
可选的,在垂直于所述基底表面的方向上,所述金属层的厚度为 10μm~1000μm。
可选的,所述金属层的材料包括不锈钢、铜、镍、铬、锌、铝中的至少一种金属,或者,所述金属层包括铁、铜、镍、铬、锌、铝中的至少一种元素的合金。
可选的,所述LED显示器还包括设置于所述基底的上表面与所述金属层之间的粘接层,以接合所述基底与所述金属层。
可选的,所述粘接层的材料包括聚酰亚胺、聚酯、聚甲基丙烯酸甲酯中的至少一种,或者包括铁、镍、铬、铜、锡、银、锌、铜、铝中的至少一种。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的