[实用新型]半导体器件和焊盘结构

说明书

本公开提供了一种焊盘结构和半导体器件，属于半导体技术领域。该焊盘结构包括基底、第一电介质层、凹槽、焊接焊盘和测试焊盘，其中，第一电介质层设于所述基底上；凹槽设于所述第一电介质层远离所述基底的表面；焊接焊盘和测试焊盘一个设于所述第一电介质层远离所述基底的表面，另一个设于所述凹槽的槽底。该焊盘结构和半导体器件能够提高半导体器件的良率和稳定性。

技术领域

本公开涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体器件和焊盘结构。

背景技术

随着半导体技术的发展，半导体器件在生产和生活中的应用越来越广泛。半导体器件，例如芯片等，经常利用焊盘实现与外部的连接。然而，焊盘与外部连接线经常出现连接不稳定的情形，降低了半导体器件的良率和稳定性。

所述背景技术部分公开的上述信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此它可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

实用新型内容

本公开的目的在于提供一种半导体器件和焊盘结构，进而在一定程度上解决焊盘与外部连线连接不稳定的问题。

为解决上述问题，本公开采用如下技术方案：

根据本公开的第一个方面，提供一种焊盘结构，包括：

基底；

第一电介质层，设于所述基底上；

凹槽，设于所述第一电介质层远离所述基底的表面；

焊接焊盘和测试焊盘，一个设于所述第一电介质层远离所述基底的表面，另一个设于所述凹槽的槽底。

在本公开的一种示例性实施例中，所述焊接焊盘设于所述第一电介质层远离所述基底的表面；所述测试焊盘设于所述凹槽的槽底。

在本公开的一种示例性实施例中，所述凹槽的深度为100纳米～1微米。

在本公开的一种示例性实施例中，所述基底包括配线层，所述配线层包括：

测试配线，与所述测试焊盘连接。

在本公开的一种示例性实施例中，所述测试配线被所述凹槽暴露，且所述测试焊盘连接所述测试配线暴露的表面。

在本公开的一种示例性实施例中，所述配线层还包括：

焊接配线，所述焊接配线与所述焊接焊盘连接。

在本公开的一种示例性实施例中，所述焊接配线通过穿过所述第一电介质层的导电柱与所述焊接焊盘连接。

在本公开的一种示例性实施例中，所述测试焊盘和所述焊接焊盘相互隔离。

在本公开的一种示例性实施例中，所述测试焊盘和所述焊接焊盘之间通过导电连接结构连接。

在本公开的一种示例性实施例中，所述测试焊盘远离所述基底的表面距离所述基底的距离，比所述焊接焊盘远离所述基底的表面距离所述基底的距离小100纳米～1微米。

在本公开的一种示例性实施例中，所述测试焊盘和所述焊接焊盘为相同材料。

在本公开的一种示例性实施例中，所述测试焊盘和所述焊接焊盘厚度相同。

在本公开的一种示例性实施例中，所述焊盘结构还包括：

保护层，设于所述第一电介质层远离所述基底的一侧，且暴露出所述测试焊盘和所述焊接焊盘。

根据本公开的第三个方面，提供一种半导体器件，该半导体器件包括上述的焊盘结构。