[实用新型]承载治具有效
申请号: | 201821861425.1 | 申请日: | 2018-11-13 |
公开(公告)号: | CN209071300U | 公开(公告)日: | 2019-07-05 |
发明(设计)人: | 易健民 | 申请(专利权)人: | 智优科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 北京泰吉知识产权代理有限公司 11355 | 代理人: | 张雅军;史瞳 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 承载件 冲洗孔 承载治具 晶片 限位单元 支撑单元 片体 边缘处 顶面 靠抵 可拆 支撑 配合 | ||
1.一种承载治具,适用于供多个呈矩型板状的晶片设置,每一晶片具有位于相反侧的底面与顶面、四个连接于所述底面与所述顶面间的侧面,所述底面具有四个分别位于所述底面的四个边缘处的接脚区域;其特征在于,所述承载治具包含:
第一承载件,包括第一片体、多个第一冲洗孔,以及多个支撑单元,所述第一片体具有位于相反侧的第一内侧面及第一外侧面,所述第一冲洗孔是均匀分布且自所述第一内侧面贯穿至第一外侧面地形成于所述第一片体,每一第一冲洗孔的孔截面大于晶片的底面,所述支撑单元分别设于所述第一冲洗孔的边缘处且适用于支撑所述晶片,每一支撑单元具有四个分别对应于晶片的四个边角处的第一支撑结构,以及连接于所述第一支撑结构的第二支撑结构,每一第一支撑结构具有凸块、限位槽,所述凸块自对应的第一冲洗孔的孔壁面朝所述第一冲洗孔的中心延伸而成,且所述凸块突伸出所述第一片体的第一内侧面并具有较所述第一内侧面突出的凸块顶面,所述限位槽形成于所述凸块并适用于容置所述晶片的边角处,且所述限位槽是自所述凸块的凸块顶面邻近于所述第一冲洗孔的中心处朝所述第一外侧面的方向延伸而成,所述第二支撑结构自所述凸块邻近所述第一外侧面处延伸形成,且所述第二支撑结构具有至少一支撑面,所述支撑面较所述限位槽的底面邻近于所述凸块的凸块顶面,且适用于顶抵所述晶片的底面的所述接脚区域之外的区域;以及
第二承载件,能与所述第一承载件相配合且可拆离地设于所述第一承载件,所述第二承载件包括第二片体、多个第二冲洗孔,以及多个限位单元,所述第二片体具有位于相反侧的第二内侧面及第二外侧面,所述第二内侧面与所述第一承载件的第一内侧面相间隔地彼此相对,所述第二冲洗孔分别对应于所述第一冲洗孔且自所述第二内侧面贯穿至第二外侧面地形成于所述第二片体,且所述第二冲洗孔的孔截面大于晶片的顶面,所述限位单元分别设于所述第二冲洗孔且适用于供所述晶片的顶面靠抵。
2.根据权利要求1所述的承载治具,其特征在于:所述第二支撑结构具有四个分别自所述四个凸块邻近所述第一外侧面处延伸形成的支撑凸条,每一支撑凸条具有自对应的凸块邻近所述第一外侧面处朝对应的第一冲洗孔的中心延伸而成的延伸部,以及自所述延伸部的末端朝所述凸块顶面的方向延伸而成且末端具有所述支撑面的支撑部,所述支撑部的支撑面适用于顶抵所述晶片的底面的所述接脚区域之外的区域。
3.根据权利要求2所述的承载治具,其特征在于:所述支撑部为截面呈矩形的柱体。
4.根据权利要求2所述的承载治具,其特征在于:每一第二支撑结构还具有四个分别连接于相邻的支撑凸条的延伸部的末端之间的防脱柱。
5.根据权利要求1所述的承载治具,其特征在于:所述第二支撑结构具有四个支撑凸条、四个防脱柱,以及四个支撑凸部,所述四个支撑凸条分别自所述四个凸块邻近所述第一外侧面处延伸形成,每一支撑凸条具有自对应的凸块邻近所述第一外侧面处朝对应的第一冲洗孔的中心延伸而成的延伸部,所述四个防脱柱分别连接于相邻的支撑凸条的延伸部的末端之间,所述四个支撑凸部分别自所述四个防脱柱朝所述凸块顶面的方向延伸而成,且每一支撑凸部的末端具有所述支撑面。
6.根据权利要求1所述的承载治具,其特征在于:每一限位单元具有多个自对应的第二冲洗孔的孔壁面朝所述第二冲洗孔的中央处延伸而成的限位凸条,以及连接于所述限位凸条的末端之间且较所述第二内侧面突出的限位柱,所述限位柱适用于供所述晶片的顶面靠抵。
7.根据权利要求6所述的承载治具,其特征在于:所述限位柱还形成有沿所述限位柱的柱体延伸方向贯穿地形成于所述限位柱的通孔。
8.根据权利要求7所述的承载治具,其特征在于:每一晶片的底面还具有位于所述底面的中央处且与所述接脚区域相间隔的散热区域,以及位于所述接脚区域与所述散热区域之间的封胶区域,所述限位柱呈与所述晶片的封胶区域相对应的柱状,且所述限位柱的通孔与所述晶片的散热区域相对应。
9.根据权利要求1所述的承载治具,其特征在于:所述承载治具适用于供所述晶片松配合地设置于所述支撑单元与所述限位单元之间。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造