[实用新型]一种三相逆变器

权利要求书

1.一种三相逆变器，包括：直流输入源、开关电路、第一耦合电感、第二耦合电感和第三耦合电感，所述开关电路的正、负输入端分别与直流输入源正、负端相连，所述开关电路具有第一输出端、第二输出端和第三输出端，所述开关电路第一输出端、第二输出端和第三输出端分别经过第一耦合电感、第二耦合电感和第三耦合电感接入第一负载、第二负载和第三负载，其特征在于，还包括第一电容、第二电容和第三电容；所述第一耦合电感、所述第二耦合电感和所述第三耦合电感各自具有主线圈和辅助线圈；

所述第一耦合电感主线圈的一端、所述第一耦合电感辅助线圈的一端和所述开关电路的第一输出端相接，所述第一耦合电感主线圈的另一端和第一负载的一端相接；

所述第二耦合电感主线圈的一端、所述第二耦合电感辅助线圈的一端和所述开关电路的第二输出端相接，所述第二耦合电感主线圈的另一端和第二负载的一端相接；

所述第三耦合电感主线圈的一端、所述第三耦合电感辅助线圈的一端和所述开关电路的第三输出端相接，所述第三耦合电感主线圈的另一端和第三负载的一端相接；

所述第一负载的另一端、所述第二负载的另一端和所述第三负载另一端共同接于中性点，所述第一电容的一端、所述第二电容的一端和所述第三电容的一端共同接于一个电位静点，所述第一电容的另一端、所述第二电容的另一端和所述第三电容的另一端分别接于所述第一耦合电感辅助线圈的另一端、所述第二耦合电感辅助线圈的另一端和所述第三耦合电感辅助线圈的另一端；

所述第一耦合电感主线圈的另一端、所述第二耦合电感主线圈的另一端和和所述第三耦合电感主线圈的另一端分别和中性点之间连接有第四电容、第五电容和第六电容，所述第一负载、第二负载、第三负载为容性负载、感性负载、阻性负载、RCD负载或交流电网中的任一种。

2.根据权利要求1所述的三相逆变器，其特征在于：还包括第四电感、第五电感、第六电感，分别接于第一耦合电感主线圈的另一端和第一负载的一端之间、第二耦合电感主线圈的另一端和第二负载的一端之间、第三耦合电感主线圈的另一端和第三负载的一端之间。

3.根据权利要求1至2任一项所述的三相逆变器，其特征在于，所述开关电路为采用六个开关管的架构，所述的六个开关管分别为第一开关管、第二开关管、第三开关管、第四开关管、第五开关管和第六开关管，所述的第一开关管和所述的第二开关管相串接并连接于所述的直流输入源的正负端之间，所述的第三开关管和所述的第四开关管相串接并连接于所述的直流输入源的正负端之间，所述的第五开关管和所述的第六开关管相串接并连接于所述的直流输入源的正负端之间，所述的第一开关管和所述的第二开关管的共同端为所述开关电路的第一输出端，所述的第三开关管和所述的第四开关管的共同端为所述开关电路的第二输出端，所述的第五开关管和所述的第六开关管的共同端为所述开关电路的第三输出端。

4.根据权利要求3所述的三相逆变器，其特征在于，所述六个开关管均为三极管及反向并联于所述三极管的二极管。

5.根据权利要求3所述的三相逆变器，其特征在于，所述六个开关管均为MOSFET及反向并联于所述MOSFET的二极管。

6.根据权利要求3所述的三相逆变器，其特征在于，所述六个开关管均为IGBT及反向并联于所述IGBT的二极管。

7.根据权利要求3所述的三相逆变器，其特征在于，所述开关电路为六管封装的IGBT模块。

8.根据权利要求1至2任一项所述的三相逆变器，其特征在于，所述开关电路为三相三电平架构或三相五电平架构。

9.根据权利要求1至2任一项所述的三相逆变器，其特征在于，所述第一耦合电感和所述第一负载之间、所述第二耦合电感和所述第二负载之间，以及所述第三耦合电感和所述第三负载之间还具有EMI滤波电路，所述EMI滤波电路的三个输入端分别接所述第一耦合电感主线圈的另一端、所述第二耦合电感主线圈的另一端和所述第三耦合电感主线圈的另一端，所述EMI滤波电路的三个输出端分别接所述第一负载的一端、所述第二负载的一端和所述第三负载的一端。