[实用新型]LED发光芯片

权利要求书

1.一LED发光芯片，其特征在于，包括：

一外延单元，其包括依次层叠的一衬底、一N型半导体层、一有源区以及一P型半导体层；

一透明导电层，其层叠于所述P型半导体层，其中所述透明导电层具有延伸至所述N型半导体层的一第一通道和延伸至所述P型半导体层的一第二通道；

一绝缘层，其层叠于所述透明导电层和经所述透明导电层的所述第一通道延伸至所述N型半导体层以及经所述透明导电层的所述第二通道延伸至所述P型半导体层，其中所述绝缘层具有一N型焊盘通道、至少一列所述N型连接针通道、一P型焊盘通道以及至少一列P型连接针通道，其中所述N型焊盘通道和每个所述N型连接针通道分别延伸至所述N型半导体层，所述P型焊盘通道延伸至所述P型半导体层，每个所述P型连接针通道分别延伸至所述透明导电层，其中一列所述N型连接针通道中的至少一个所述N型连接针通道与两个相邻所述N型连接针通道之间的间距不同，一列所述P型连接针通道中的至少一个所述P型连接针通道与两个相邻所述P型连接针通道之间的间距不同；以及

一电极组，其包括分别层叠于所述绝缘层的一N型电极和一P型电极，其中所述N型电极经所述绝缘层的所述N型焊盘通道和每个所述N型连接针通道分别被电连接于所述N型半导体层，其中所述P型电极经所述绝缘层的所述P型焊盘通道被电连接于所述P型半导体层和经所述绝缘层的每个所述P型连接针通道被电连接于所述透明导电层。

2.根据权利要求1所述的LED发光芯片，其中一列所述N型连接针通道中的相邻所述N型连接针通道之间的间距渐变变化。

3.根据权利要求1所述的LED发光芯片，其中一列所述P型连接针通道中的相邻所述P型连接针通道之间的间距渐变变化。

4.根据权利要求2所述的LED发光芯片，其中一列所述P型连接针通道中的相邻所述P型连接针通道之间的间距渐变变化。

5.根据权利要求4所述的LED发光芯片，其中一列所述N型连接针通道中的相邻所述N型连接针通道之间的间距自所述LED发光芯片的第二端部向第一端部方向递减，其中一列所述P型连接针通道中的相邻所述P型连接针通道之间的间距自所述LED发光芯片的第一端部向第二端部方向先递减后递增。

6.根据权利要求1所述的LED发光芯片，其中所述外延单元具有一半导体裸露部，所述半导体裸露部自所述P型半导体层经所述有源区延伸至所述N型半导体层，其中所述外延单元的所述半导体裸露部对应于和连通于所述透明导电层的所述第一通道，其中所述绝缘层进一步经所述外延单元的所述半导体裸露部延伸至所述N型半导体层。

7.根据权利要求2所述的LED发光芯片，其中所述外延单元具有一半导体裸露部，所述半导体裸露部自所述P型半导体层经所述有源区延伸至所述N型半导体层，其中所述外延单元的所述半导体裸露部对应于和连通于所述透明导电层的所述第一通道，其中所述绝缘层进一步经所述外延单元的所述半导体裸露部延伸至所述N型半导体层。

8.根据权利要求3所述的LED发光芯片，其中所述外延单元具有一半导体裸露部，所述半导体裸露部自所述P型半导体层经所述有源区延伸至所述N型半导体层，其中所述外延单元的所述半导体裸露部对应于和连通于所述透明导电层的所述第一通道，其中所述绝缘层进一步经所述外延单元的所述半导体裸露部延伸至所述N型半导体层。

9.根据权利要求4所述的LED发光芯片，其中所述外延单元具有一半导体裸露部，所述半导体裸露部自所述P型半导体层经所述有源区延伸至所述N型半导体层，其中所述外延单元的所述半导体裸露部对应于和连通于所述透明导电层的所述第一通道，其中所述绝缘层进一步经所述外延单元的所述半导体裸露部延伸至所述N型半导体层。