[实用新型]单芯片控制输出逆变系统

权利要求书

1.一种单芯片控制输出逆变系统，其特征在于，包括一IC控制芯片和连接所述IC控制芯片的前级升压电路和全桥交流后级输出电路，所述IC控制芯片的第一前级升压控制引脚连接所述前级升压电路的第一输入端；所述IC控制芯片的第二前级升压控制引脚连接所述前级升压电路的第二输入端；所述IC控制芯片的第一后级全桥驱动脚连接所述全桥交流后级输出电路的第一输入端口；所述IC控制芯片的第二后级全桥驱动脚连接所述全桥交流后级输出电路的第二输入端口。

2.如权利要求1所述的单芯片控制输出逆变系统，其特征在于，所述前级升压电路包括电压驱动器件和变压器，所述电压驱动器件为场效应管，所述场效应管包括第一场效应管和第二场效应管，

所述第一场效应管的栅极连接所述IC控制芯片的所述第一前级升压控制引脚；所述第一场效应管的漏极连接所述变压器的第一输入端；所述第一场效应管的源极连接至接地端；

所述第二场效应管的栅极连接所述IC控制芯片的所述第二前级升压控制引脚；所述第二场效应管的漏极连接所述变压器的第三输入端；所述第二场效应管的漏极连接至接地端；

所述变压器的第二输入端连接一直流电源输出端。

3.如权利要求1所述的单芯片控制输出逆变系统，其特征在于，所述全桥交流后级输出电路包括电压驱动器件，所述电压驱动器件为场效应管，所述场效应管包括第三场效应管、第四场效应管、第五场效应管和第六场效应管；

所述第三场效应管的栅极连接所述IC控制芯片的所述第一后级全桥驱动脚；所述第三场效应管的漏极连接所述第五场效应管的漏极；所述第三场效应管的源极连接所述第四场效应管的漏极；

所述第四场效应的栅极连接所述IC控制芯片的所述第二后级全桥驱动脚；所述第四场效应管的源极连接至接地端；

所述第五场效应管的栅极连接所述IC控制芯片的所述第一后级全桥驱动脚；所述第五场效应管的源极连接所述第六场效应管的漏极；

所述第六场效应管的栅极连接所述IC控制芯片的所述第二后级全桥驱动脚；所述第六场效应管的源极连接至接地端。

4.如权利要求2或3所述的单芯片控制输出逆变系统，其特征在于，所述电压驱动器件还包括绝缘栅双极晶体管。

5.如权利要求2或3所述的单芯片控制输出逆变系统，其特征在于，所述场效应管为N沟道场效应管。

6.如权利要求1所述的单芯片控制输出逆变系统，其特征在于，还包括一上电检测电路，所述上电检测电路的输出端连接所述IC控制芯片的上电检测引脚。

7.如权利要求1所述的单芯片控制输出逆变系统，其特征在于，还包括一风机控制电路，所述风机控制电路的输出端连接所述IC控制芯片的风机控制引脚。

8.如权利要求1所述的单芯片控制输出逆变系统，其特征在于，还包括一报警控制电路，所述报警控制电路的输出端连接所述IC控制芯片报警控制引脚。

9.如权利要求1所述的单芯片控制输出逆变系统，其特征在于，还包括一过温保护电路，所述过温保护电路的输出端连接所述IC控制芯片的温度检测控制引脚。

10.如权利要求1所述的单芯片控制输出逆变系统，其特征在于，还包括电压采样电路和电流采样电路，所述电压采样电路的输出端连接所述IC控制芯片的电压采样脚；所述电流采样电路的输出端连接所述IC控制芯片的电流采样脚。