[实用新型]具有电容器的存储器件

权利要求书

1.一种具有电容器的存储器件，其特征在于，包括：

基底，所述基底的顶表面具有多个电容接触区；

多个电容接触，所述多个电容接触设置于基底上且与所述多个电容接触区一一对应电连接；以及

第一支撑层，所述第一支撑层设置于所述基底上且覆盖所述多个电容接触区之间的所述基底的顶表面；

其中，每个所述电容接触包括在远离所述基底的顶表面方向依次叠加的第一电容接触和第二电容接触，所述第一支撑层的顶表面高于所述第一电容接触的顶表面且低于所述第二电容接触的顶表面。

2.如权利要求1所述的存储器件，其特征在于，所述存储器件还包括在所述基底上与所述多个电容接触一一对应形成的多个下电极，每个所述下电极与对应的第二电容接触的至少部分顶表面接触。

3.如权利要求2所述的存储器件，其特征在于，每个所述下电极还与对应的第一电容接触的至少部分顶表面接触。

4.如权利要求2所述的存储器件，其特征在于，每个所述下电极沿所述电容接触的顶表面朝向远离所述基底顶表面的方向延伸以围成一筒状结构，所述下电极具有朝向所述筒状结构内部的内表面以及背离所述筒状结构内部的外表面；所述电容器结构还包括覆盖所述内表面和所述外表面的电容介质层、以及覆盖所述电容介质层的上电极层。

5.如权利要求2所述的存储器件，其特征在于，所述基底中包括多个有源区和用于限定所述多个有源区的隔离区，在所述第一支撑层的上方对应于所述隔离区依次相隔设置有第二支撑层和第三支撑层，以连接并支撑所述多个下电极。

6.如权利要求5所述的存储器件，其特征在于，所述基底在对应于每个所述有源区的顶表面设置有两个所述电容接触区。

7.如权利要求1至6任一项所述的存储器件，其特征在于，所述第二电容接触的顶表面面积小于或者等于所述第一电容接触的顶表面面积。

8.如权利要求1至6任一项所述的存储器件，其特征在于，所述第二电容接触平行于所述基底顶表面的横截面包括圆形、椭圆形和多边形所组成的组中的一种或者两种以上的组合；和/或，所述第二电容接触垂直于所述基底顶表面的横截面包括半圆形、矩形、正方形和梯形所组成的组中的一种或者两种以上的组合。

9.如权利要求1至6任一项所述的存储器件，其特征在于，所述第一电容接触和/或所述第二电容接触的材料包括掺杂多晶硅、金属氮化物、金属硅化物和金属所组成的组中的一种或者两种以上的组合。

10.如权利要求1至6任一项所述的存储器件，其特征在于，所述第一支撑层的材料包括氧化硅、氮化硅和氮氧化硅所组成的组中的一种或者两种以上的组合。

11.如权利要求1至6任一项所述的存储器件，其特征在于，所述存储器件为动态随机存储器。