[实用新型]一种高光学利用率的光伏焊带有效
申请号: | 201821890040.8 | 申请日: | 2018-11-16 |
公开(公告)号: | CN209087876U | 公开(公告)日: | 2019-07-09 |
发明(设计)人: | 曹建鸿 | 申请(专利权)人: | 杭州萧山江海实业有限公司 |
主分类号: | H01L31/05 | 分类号: | H01L31/05;H01L31/054 |
代理公司: | 杭州融方专利代理事务所(普通合伙) 33266 | 代理人: | 金磊 |
地址: | 311255 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 断带 铜带 本实用新型 光伏焊带 光学利用率 突起 裁剪工具 传统的 上表面 粘连块 反光 裁剪 焊接 断裂 测量 衔接 | ||
本实用新型公开了一种高光学利用率的光伏焊带,包括作为主体的铜带,所述的铜带上设有若干均匀分布的断带,所述的断带上配有粘连块,断带与断带之间的铜带上表面设有若干个连续衔接的突起,突起间的间隙组合成反光沟槽。本实用新型克服了现有技术中存在的传统的光伏焊带在使用前需要用量尺等工具进行测量长度后再用裁剪工具进行裁剪后才能进行焊接该过程需要耗费操作员较多的时间的问题。本实用新型具有操作方便、结构简单、可快速断裂铜带等优点。
技术领域
本实用新型涉及一种光伏焊带领域,更具体地说,涉及一种高光学利用率的光伏焊带。
背景技术
焊带是光伏组件焊接过程中的重要原材料,焊带质量的好坏将直接影响到光伏组件电流的收集效率,对光伏组件的功率影响很大。焊带在串联电池片的过程中一定要做到焊接牢固,避免虚焊假焊现象的发生。生产厂家在选择焊带时一定要根据所选用的电池片特性来决定用什么状态的焊带。一般选用的标准是根据电池片的厚度和短路电流的多少来确定焊带的厚度,焊带的宽度要和电池的主删线宽度一致,焊带的软硬程度一般取决于电池片的厚度和焊接工具。手工焊接要求焊带的状态越软越好,软态的焊带在烙铁走过之后会很好的和电池片接触在一起,焊接过程中产生的应力很小,可以降低碎片率。但是太软的焊带抗拉力会降低,很容易拉断。对于自动焊接工艺,焊带可以稍硬一些,这样有利于焊接机器对焊带的调直和压焊,太软的焊带用机器焊接容易变形,从而降低产品的成品率。焊接焊带使用的电烙铁根据不同的组件有不同的选择,一般而言,焊接灯具等小光伏组件对烙铁的要求较低,小组件自身面积较小,对烙铁热量的要求不高,一般35w电烙铁可以满足焊接含铅焊带的要求,但是焊接无铅焊带时建议厂家尽量使用50w电烙铁,而且要使用无铅长寿烙铁头,因为无铅焊锡氧化快,对烙铁头的损害相当大。
发明内容
本实用新型为了克服现有技术中存在的传统的光伏焊带在使用前需要用量尺等工具进行测量长度后再用裁剪工具进行裁剪后才能进行焊接该过程需要耗费操作员较多的时间的问题。现提供具有可快速对光伏焊带进行裁剪的一种高光学利用率的光伏焊带。
本实用新型的一种高光学利用率的光伏焊带,包括作为主体的铜带,所述的铜带上设有若干均匀分布的断带,所述的断带上配有粘连块,断带与断带之间的铜带上表面设有若干个连续衔接的突起,突起间的间隙组合成反光沟槽。
在铜带上设置便于折断铜带的断带可以实现在不使用裁剪工具前提下对铜带进行手动折断,从而提高了裁剪速度。通过粘连块可以增强断带处的连接强度,只有在揭开粘连块后才能轻松地将铜带进行折断,从而保证了铜带的整体强度。所述的反光沟槽可以有效地提高光学利用率,增加了光伏组件功率。
作为优选,所述的断带的中心线上设有若干个方形断裂孔,所述的断带的左右两侧分别设有黏贴带,所述的方形断裂孔的长度为4.5—5.0um,所述的方形断裂孔的宽度为4.5—5.0um。
该设计可以方便操作员进行高效快速地断裂铜带,且该设计的断裂口较为平整,操作员只需将断裂处轻轻打磨即可使用。
作为优选,所述的粘连块上设有与方形断裂孔相匹配的定位块,所述的粘连块和定位块的材料与铜带相同,所述的粘连块左右两端分别设有金属贴,所述的黏贴带与金属贴粘性贴合。
将定位块插接进入方形断裂孔中可以保持铜带原有的导电率。利用金属贴可以增强断带处的连接强度,只有在揭开金属贴后才能轻松地将铜带进行折断,从而保证了铜带的整体强度。
作为优选,所述的粘连块上表面设有长度标识,所述的粘连块上表面的左右两侧分别设有用于揭掉粘连块的凹槽,所述的凹槽的纵截面呈直角梯形,其斜边朝向长度标识。
利用长度标识可以让操作员快速地了解当前抽出的铜带长度,之后操作员可根据实际需求来选择合适长度的铜带。利用凹槽可以方便操作员快速地揭开粘连块。
本实用新型具有以下有益效果:操作方便,结构简单,可快速断裂铜带。
附图说明
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的