[实用新型]一种电流源

权利要求书

1.一种电流源，其特征在于：包括启动电路和电流镜像电路，启动电路包括第一MOS管、第二MOS管、第一三极管和第二三极管，电流镜像电路包括第一运放、第三MOS管、第二运放、第四MOS管、电阻R2、电阻R3、电阻R4和电阻R5；第一MOS管的漏极接电源、源极接第二MOS管的栅极和第一三极管集电极、栅极接地，第二MOS管的漏极接第一运放的同向输入端、源极接第二三极管集电极，第一三极管的基极和发射极接地，第二三极管的基极和发射极接地；第一运放的反向输入端通过电阻R3后接地、输出端与第三MOS管的栅极连接，第三MOS管的源极通过电阻R3后接地、漏极分别与第二运放的同向输入端和电阻R2连接，第二运放的反向输入端分别与电阻R4和第四MOS管的源极连接、输出端与第四MOS管的栅极连接，第四MOS管的漏极通过电阻R5后接地，电阻R3和电阻R4还与电源连接。

2.根据权利要求1所述的电流源，其特征在于：所述启动电路还包括电阻R6和电容C3，该电阻R6和该电容C3构成RC滤波电路，耦合在第二三极管与第一运放之间。

3.根据权利要求1所述的电流源，其特征在于：所述启动电路还包括分压电阻R1，该分压电阻R1串联在第一MOS管的漏极与电源之间。

4.根据权利要求1所述的电流源，其特征在于：所述电流镜像电路还包括电容C1和电容C2，电容C1连接在电阻R5其中一端与地之间，电容C2连接在电阻R5另一端与地之间。

5.根据权利要求1所述的电流源，其特征在于：所述第一MOS管为耗尽型P沟道场效应管；所述第二MOS管为增强型N沟道场效应管；所述第三MOS管为增强型N沟道场效应管；所述第四MOS管为增强型P沟道场效应管。

6.根据权利要求1所述的电流源，其特征在于：所述第一运放和所述第二运放的型号都为OP07型。