[实用新型]一种应用于半导体功率模快的多功能复合基板

权利要求书

1.一种应用于半导体功率模快的多功能复合基板，其特征在于，从上到下依次包括铜箔层、金属基板，所述铜箔层和所述金属基板通过高导热绝缘胶粘结起来。

2.根据权利要求1所述的一种应用于半导体功率模快的多功能复合基板，其特征在于，所述金属基板的材料采用铜材料。

3.根据权利要求2所述的一种应用于半导体功率模快的多功能复合基板，其特征在于，所述金属基板内部平行设有多个长条形的空腔，所述空腔内放置有碳酸氢钠粉末。

4.根据权利要求3所述的一种应用于半导体功率模快的多功能复合基板，其特征在于，所述空腔内沿其长度方向间隔设有若干分隔板。

5.根据权利要求4所述的一种应用于半导体功率模快的多功能复合基板，其特征在于，所述空腔的上表面沿着空腔长度方向间隔设有若干插口，所述插口内插入所述分隔板，所述分隔板的底端与所述空腔的底部相抵触，所述分隔板的顶端超出所述插口。

6.根据权利要求5所述的一种应用于半导体功率模快的多功能复合基板，其特征在于，所述金属基板上表面设有若干通孔。

7.根据权利要求6所述的一种应用于半导体功率模快的多功能复合基板，其特征在于，相邻两个插口之间设有一个导轨，每个导轨相互背离的两个侧面上设有导槽，两个导槽内分别卡入两个分隔板。

8.根据权利要求7所述的一种应用于半导体功率模快的多功能复合基板，其特征在于，所述分隔板的顶端铰接一个套环，两个导轨的顶端设有一个连接块，所述套环与所述连接块相互配合。

9.根据权利要求8所述的一种应用于半导体功率模快的多功能复合基板，其特征在于，所述铜箔层上也设置若干与所述插口位置相对应的用于所述分隔板和导轨共同穿入的通口。