[实用新型]制作HIT硅电池的气相沉积装置

说明书

本实用新型公开一种制作HIT硅电池的气相沉积装置，包括等离子气体、设有入口和出口的真空室、射频电源、设置于真空室的入口处且连通大气区域与真空室内区域的气盒、由若干正、负电极交错且并排排列的电极组件、导流槽、真空泵及硅基体，等离子气体通过真空室的入口进入气盒，气盒朝向真空室内的端面设有若干通孔；电极组件设于气盒的下方，射频电源射频电极电连接其正电极，射频电源地电极电连接其负电极；硅基体设于电极组件的下方，竖立于导流槽上方；导流槽设于真空室的出口处，且连真空泵与真空室内。通过本实用新型的装置制作的HIT硅电池完全走干工艺，不涉及化学液的处理，干净卫生，而且完全是全自动化生产，减少人力物力，减省工序。

技术领域

本实用新型涉及硅电池领域，特别涉及一种制作HIT硅电池的气相沉积装置。

背景技术

HIT结构太阳能电池是一种利用晶体硅基板和非晶硅薄膜制成的混合型太阳能电池，HIT结构（Heterojunction with intrinsic Thinlayer)就是在P型氢化非晶硅和n型氢化非晶硅与n型硅衬底之间增加一层非掺杂(本征)氢化非晶硅薄膜）。HIT太阳能电池转换率高、是一种低高效电池，具有与传统的硅晶太阳能电池相匹敌的优势。但是目前制作HIT结构太阳能电池的工艺太复杂，设备又昂贵，大大地限制了其商业应用价值。

实用新型内容

本实用新型的主要目的是提出一种制作HIT硅电池的气相沉积装置，旨在克服以上问题。

为实现上述目的，本实用新型提出的一种制作HIT硅电池的气相沉积装置，包括等离子气体、射频电源、真空泵、设有入口和出口的真空室及容纳于真空室内的气盒、由若干正、负电极交错且并排排列的电极组件、导流槽、硅基体，气盒连通真空室的入口，等离子气体通过真空室的入口进入气盒，气盒朝向真空室内的端面设有若干通孔；电极组件设于气盒的下方，其正电极连接射频电源射频电极，其负电极连接射频电源地电极；硅基体设于电极组件的下方，坚立于导流槽上方；导流槽设于真空室的出口处，且连通真空泵与真空室内。

优选地，所述真空室还设有闸门，所述闸门设于硅基体的同一横向轴线位置。

优选地，所述电极组件的正、负电极采用片状结构的导电金属制成。

优选地，所述导流槽上方的两侧边分别设有若干滚轮，所述硅基体通过滚轮可移动地设于导流槽上方。

优选地，所述导流槽包括相互连通的导流室和引流筒，所述引流筒固定于导流室的底部，伸出真空室的出口连接真空泵；所述导流室包括栅格盖和回流空间，所述栅格盖固定于导流室上方，由此在导流室下方形成回流空间，所述回流空间与引流筒相连通。

优选地，所述硅基体是用NF₃等离子体进行表面钝化处理再采用氢离子轰击后的硅基体。

优选地，所述通孔之间的间距≤15cm。

优选地，所述射频电源为RF电源，所述RF电源在气盒与电离栅格之间施加高频交流变化电磁波，形成交变电场。

优选地，还包括屏闭片，若硅基体需要单面镀膜，则将屏闭片遮盖硅基体的非镀膜面。

优选地，所述等离子气体为掺入了适量的氢化磷或氢化硼的硅烷，所述硅烷在穿过射频电源施加的电场时被电离分解为N型或P型的非晶硅膜，沉积于硅基体表面。

通过本实用新型的装置制作的HIT硅电池完全走干工艺，不涉及化学液的处理，干净卫生，而且完全是全自动化生产，减少人力物力，减省工序。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。