[实用新型]制作HIT硅电池的等离子气相沉积装置

说明书

本实用新型公开一种制作HIT硅电池的等离子气相沉积装置，包括等离子气体、射频电源、真空泵、设有入口及出口的真空室及容纳于真空室内的气盒、电离栅格、导流槽及硅基体，气盒连通真空室的入口，等离子气体通过真空室的入口进入气盒，气盒朝向真空室内的端面设有若干通孔；电离栅格固定于气盒的下方；气盒与电离栅格均为导电体，射频电源射频电极连接气盒，其地电极连接电离栅格；硅基体设于电离栅格的下方，竖直立于导流槽上方；导流槽设于真空室出口处，连通真空泵与真空室内。通过本实用新型的装置制作的HIT硅电池完全走干工艺，不涉及化学液的处理，干净卫生，而且完全是全自动化生产，减少人力物力，减省工序。

技术领域

本实用新型涉及硅电池领域，特别涉及一种制作HIT硅电池的等离子气相沉积装置。

背景技术

HIT结构太阳能电池是一种利用晶体硅基板和非晶硅薄膜制成的混合型太阳能电池，HIT结构(Heterojunction with intrinsic Thinlayer)就是在P型氢化非晶硅和n型氢化非晶硅与n型硅衬底之间增加一层非掺杂(本征)氢化非晶硅薄膜)。HIT太阳能电池转换率高、是一种低高效电池，具有与传统的硅晶太阳能电池相匹敌的优势。但是目前制作HIT结构太阳能电池的工艺太复杂，设备又昂贵，大大地限制了其商业应用价值。

实用新型内容

本实用新型的主要目的是提出一种制作HIT硅电池的等离子气相沉积装置，旨在克服以上问题。

为实现上述目的，本实用新型提出的一种制作HIT硅电池的等离子气相沉积装置，包括等离子气体、射频电源、真空泵、设有入口及出口的真空室及容纳于真空室内的气盒、电离栅格、导流槽及硅基体，气盒连通真空室的入口，等离子气体通过真空室的入口进入气盒，气盒朝向真空室内的端面设有若干通孔；电离栅格固定于气盒的下方；气盒与电离栅格均为导电体，射频电源射频电极连接气盒，其地电极连接电离栅格；硅基体设于电离栅格的下方，竖直立于导流槽上方；导流槽设于真空室出口处，连通真空泵与真空室内。

优选地，所述等离子气体为硅烷SiH₄，硅烷SiH₄在穿过射频电源施加的电场时被电离分解为由Si、SiH、SiH₂及SiH₃组成的非晶硅膜，沉积于硅基体表面。

优选地，所述气盒和/或电离栅格采用导电金属制成。

优选地，所述通孔之间的间距为13-17cm。

优选地，所述导流槽上方设有若干呈蜂巢状布置的导流孔。

优选地，所述硅基体是用NF₃等离子体进行表面钝化处理再采用氢离子轰击后的硅基体。

优选地，所述硅基体的数目为数个，数个硅基体竖直排列于导流槽上方。

优选地，所述射频电源为RF电源，RF电源在气盒与电离栅格之间施加高频交流变化电磁波，形成交变电场。

优选地，所述等离子气体为低温等离子气体。

优选地，所述等离子气体为掺入了适量的氢化磷或氢化硼的硅烷SiH₄混合气体，所述硅烷SiH₄混合气体在穿过射频电源施加的电场时被电离分解为 N型或P型非晶硅膜，沉积于硅基体表面。

通过本实用新型的装置制作的HIT硅电池完全走干工艺，不涉及化学液的处理，干净卫生，而且完全是全自动化生产，减少人力物力，减省工序。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。