[实用新型]分离设备有效
申请号: | 201821895544.9 | 申请日: | 2018-11-16 |
公开(公告)号: | CN209571387U | 公开(公告)日: | 2019-11-01 |
发明(设计)人: | 陈孟端 | 申请(专利权)人: | 正恩科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 黄艳 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 弹性件 贴膜 分离设备 整平装置 晶粒 转接 目标物 压抵 承载 转贴 破裂 配置 申请 | ||
本申请提供一种分离设备,包括:基座,其用以承载目标物;以及整平装置,其包含用以压抵该目标物的一弹性件,该弹性件的宽度未大于该基座的宽度。该分离设备包括以初始贴膜承载晶粒的一基座、以及配置于基座上方的一整平装置,且该整平装置包含宽度未大于该基座的一弹性件,以于该弹性件压抵一转接贴膜而将该晶粒由该初始贴膜转贴至该转接贴膜时,该弹性件不会发生破裂的问题。
技术领域
本申请涉及一种分离设备,尤其涉及一种可用于半导体晶圆劈裂工艺的分离设备。
背景技术
悉知半导体工艺中,晶圆于制造完成后,会进行薄化工艺、切单工艺、封装工艺等,其中,切单工艺的方式繁多,例如:激光切割、机械切割、劈裂分离等。
如图1A所示,悉知劈裂式分离设备1包括:一机台本体(图略)、设于该机台本体下侧的一基座10、设于该机台本体上侧的一劈裂装置(图略)、以及设于该基座10上侧且内部具有压合垫130的一气囊13,其中,该气囊13的宽度R大于该基座10的宽度D,且该压合垫130的宽度r小于该基座的宽度D。
于进行劈裂工艺时,先于一第一铁环12a中铺设一第一贴膜11a(即初始贴膜),再将一晶圆粘贴于该第一贴膜11a上以位于该第一铁环12a 的圆形开口中,接着将该第一贴膜11a设于该基座10上,再利用劈裂装置的劈刀(图略)对位于该晶圆的目标位置上,使该劈刀碰触该晶圆,以令该晶圆裂开而分离成多个晶粒9。之后,将该劈裂装置从该基座10上方移开,以将该气囊13及配置有第二贴膜11b(即转接贴膜)的第二铁环12b移到该基座10上方(如图1A所示),且该第二铁环12b抵靠该第一铁环12a,再将该气囊13朝接近该基座10的方向移动(如图1A所示的箭头方向X),并控制该气囊130内的气压呈定值(如充气维持),以借由该压合垫130令该气囊13的压合面13a压抵该第二贴膜11b(如图1B所示),使该压合面13a的中间区域由弧面变成平面,令所述晶粒9平整同高地转贴于该第二贴膜11b上以进行后续其它加工作业,之后将该气囊13 朝远离该基座10的方向移动(如图1B所示的箭头方向Y),以令该气囊13与该第二贴膜11b分开(如图1C所示)。
然而,悉知分离设备1中,该气囊13的压合面13a的初始状态为弧面(如充气维持,以控制该气囊130内的气压呈定值),故于进行整平作业时,该气囊13内的空气会受挤压至该压合面13a的外围区域(即未压合所述晶粒9的区域)而使该外围区域下垂接触该第二贴膜11b,致使该第二贴膜11b的外围表面接触该第一贴膜11a而沾粘该第一贴膜11a的胶材,造成于后续进行其它加工作业时,该第二铁环12b不易与该第一铁环 12a相分离(例如,于分离该第一铁环12a与该第二铁环12b的过程中,需使用较大的作用力分离图1C所示的第一贴膜11a与该第二贴膜11b,却因此容易造成位移所述晶粒9),且当该第二铁环12b与该第一铁环12a 相分离后,该第二贴膜11b的外围表面也会污损其它加工设备。
此外,若增加该压合垫130的宽度r,使其大于该基座10的宽度D,虽可避免该外围区域下垂接触该第二贴膜11b,但该压合垫130于压合时会挤压该气囊13的外围区域,致使该气囊13破裂。
因此,如何克服悉知技术的种种问题,实为一重要课题。
实用新型内容
为解决上述悉知技术的问题,本申请遂公开一种分离设备,包括:基座,其用以承载目标物;以及整平装置,其包含用以压抵该目标物的一弹性件,该弹性件为气囊结构,且该弹性件的宽度未大于该基座的宽度。
前述的分离设备中,该弹性件形成有用以压抵该目标物的一压合面。
前述的分离设备中,该气囊结构内配置有压合垫。
前述的分离设备中,还包括作用装置,用以将设于该基座上的一物件分离成多个单位元件。例如,该弹性件用以借由压抵该目标物而同时压固多个所述单位元件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造