[实用新型]半导体结构及测试系统有效
| 申请号： | 201821898448.X | 申请日： | 2018-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN209434149U | 公开（公告）日： | 2019-09-24 |
| 发明（设计）人： | 周源;张小麟;张志文;李静怡;王超;朱林迪;裴紫薇 | 申请（专利权）人： | 北京燕东微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;张靖琳 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 掺杂层 半导体结构 半导体器件 测试区 衬底 测试系统 闭环 第一表面 关键参数 贯穿 电阻 良率 体区 隔离 延伸 申请 | ||
1.一种半导体结构，用于形成至少一个半导体器件和至少一个测试区，其特征在于，所述半导体结构包括：
衬底；
掺杂层，形成于所述衬底的第一表面；以及
多个沟槽，每个所述沟槽贯穿所述掺杂层并延伸至所述衬底内，
其中，所述多个沟槽包括至少一个第一沟槽和至少一个第二沟槽，每个所述第二沟槽用于形成相应的所述半导体器件的栅极，每个所述第一沟槽在所述掺杂层中限定并隔离出具有闭环边界的所述测试区，每个所述测试区分别具有两个测试节点。
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构具有非有效区域和有效区域，所述至少一个半导体器件位于所述有效区域，所述至少一个测试区位于所述非有效区域。
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述非有效区域与所述半导体结构的划片线位置对应。
4.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：
介质层，形成于每个所述沟槽的暴露表面；以及
多晶硅，填充在每个所述沟槽内部。
5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，
位于所述有效区域内的所述掺杂层形成相应的所述半导体器件的体区，
位于所述有效区域内的所述介质层形成相应的所述半导体器件的栅介质层，
位于所述有效区域内的所述多晶硅形成相应的所述半导体器件的栅极。
6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：介电层，位于所述掺杂层之上。
7.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，还包括：
贯穿所述介电层并延伸至所述掺杂层内的多个导电结构，每个所述导电结构与相应的所述测试区电连接，从而引出用于检测所述测试区的电学参数的所述测试节点。
8.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述测试区被相应的所述第一沟槽限定为封闭区域，两个所述测试节点分别位于所述测试区的两端且不与所述第一沟槽接触。
9.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于所述介电层之上的焊盘，每个所述焊盘分别与相应的所述导电结构邻接，从而将相应的所述测试区的所述测试节点连接至测试电路。
10.一种半导体结构的测试系统，包括：
如权利要求1至9任一项所述的半导体结构；以及
测试电路，与所述测试区电连接，所述测试电路通过检测所述测试区的电学参数获得所述半导体器件的电学参数。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
