[实用新型]一种金属应变感知器件有效
| 申请号： | 201821900556.6 | 申请日： | 2018-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN209147922U | 公开（公告）日： | 2019-07-23 |
| 发明（设计）人： | 吴豪;彭望;黄鑫;尹周平 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | G01B7/16 | 分类号： | G01B7/16;G01B11/16;C23C14/16 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 孔娜;曹葆青 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 感知器件 金属 基底 光栅 本实用新型 可拉伸性 弯曲性 感知 电阻变化量 金属薄膜层 可拉伸结构 金属感应 应变量 电阻 拉伸 制备 测量 | ||
1.一种金属应变感知器件，其特征在于：
所述金属应变感知器件为柔性可拉伸结构，其包括硅光栅基底及形成在所述硅光栅基底上的金属薄膜层，所述硅光栅基底为柔性可拉伸基底，其具有可拉伸性及弯曲性；
所述金属应变感知器件形成有应变感知区，所述应变感知区的电阻值随着所述金属应变感知器件的应变值的变化而变化；所述金属应变感知器件通过自身的电阻变化量来实现应变量的测量。
2.如权利要求1所述的金属应变感知器件，其特征在于：所述硅光栅基底形成有多个间隔设置的光栅，所述光栅位于所述应变感知区内。
3.如权利要求1所述的金属应变感知器件，其特征在于：所述金属薄膜层的厚度为10纳米-10000纳米。
4.如权利要求1-3任一项所述的金属应变感知器件，其特征在于：所述金属薄膜层的材料为Au、Ag、Al、Cu、Pt及Cr中的任一种。
5.如权利要求1所述的金属应变感知器件，其特征在于：所述应变感知器件的实时应变量S与对应的实时电阻变化值ΔR之间的关系式为：
ΔR＝R-R0＝f(S) (1)
式中，R0为所述金属应变感知器件的初始电阻值。
6.如权利要求1-3任一项所述的金属应变感知器件，其特征在于：所述金属应变感知器件的两端分别形成有第一夹持部及第二夹持部，所述第一夹持部及所述第二夹持部分别连接于所述应变感知区。
7.如权利要求6所述的金属应变感知器件，其特征在于：所述第一夹持部及所述第二夹持部共同用于将所述金属应变感知器件连接于被测物体。
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