[实用新型]一种存储芯片三维封装结构有效
| 申请号： | 201821900587.1 | 申请日： | 2018-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN208904012U | 公开（公告）日： | 2019-05-24 |
| 发明（设计）人： | 金国庆;俞浩东;鲁文铧 | 申请（专利权）人： | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L25/065 |
| 代理公司： | 上海智晟知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31313 | 代理人： | 张东梅 |
| 地址： | 214028 江苏省无锡市新区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 芯片 背面腔体 凸点 外接焊盘 芯片正面 三维封装结构 背面设置 存储芯片 芯片焊盘 堆叠 嵌入 背面 本实用新型 电连接 焊球 外接 | ||
1.一种存储芯片三维封装结构，包括：
第一芯片，所述第一芯片正面的芯片焊盘上设置有第一芯片凸点；
第二芯片，所述第二芯片的背面设置有第一背面腔体，所述第二芯片正面的芯片焊盘上设置有第二芯片凸点，所述第一芯片的正面堆叠至所述第二芯片的背面，所述第一芯片凸点嵌入所述第一背面腔体；
第三芯片，所述第三芯片的背面设置有第二背面腔体，所述第三芯片正面设置有外接焊盘，所述第二芯片的正面堆叠至所述第三芯片的背面，所述第二芯片凸点嵌入所述第二背面腔体；以及
外接焊球，所述外接焊盘电连接至所述外接焊盘。
2.如权利要求1所述的存储芯片三维封装结构，其特征在于，所述第二芯片包括N个芯片，其中N≥2。
3.如权利要求1所述的存储芯片三维封装结构，其特征在于，所述第一背面腔体设置有第一内壁金属互连，所述第一内壁金属互连电连接至所述第一芯片的焊盘和/或电路，且所述第一内壁金属互连电连接第一芯片凸点。
4.如权利要求1所述的存储芯片三维封装结构，其特征在于，所述第二背面腔体设置有第二内壁金属互连，所述第二内壁金属互连电连接至所述第二芯片的焊盘和/或电路，且所述第二内壁金属互连电连接第二芯片凸点。
5.如权利要求1所述的存储芯片三维封装结构，其特征在于，所述第一背面腔体、第二背面腔体内具有间隙。
6.如权利要求1所述的存储芯片三维封装结构，其特征在于，所述第一芯片的正面具有第一钝化层；所述第二芯片的正面具有第二钝化层；所述第三芯片的正面具有第三钝化层。
7.如权利要求1所述的存储芯片三维封装结构，其特征在于，所述第一芯片正面的第一钝化层直接与第二芯片背面接触。
8.如权利要求1所述的存储芯片三维封装结构，其特征在于，所述第二芯片正面的第二钝化层直接与第三芯片背面接触。
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