[实用新型]一种LPCVD沉积炉

说明书

本实用新型提供一种LPCVD沉积炉，涉及沉积炉领域。该LPCVD沉积炉，包括底座，所述底座的顶部包括箱体、左支架和右支架，所述箱体的底部与底座的顶部固定连接，所述左支架位于箱体的左侧设置，所述左支架的底部与底座的顶部固定连接，左支架的右侧与箱体的左侧固定连接，右支架位于箱体的右侧设置，右支架的左侧与箱体的右侧固定连接，左支架的顶部包括左卡块，左卡块的底部后侧通过铰链与左支架的顶部后侧转动连接。该LPCVD沉积炉，通过在箱体的两侧设置左支架、左卡块、右支架和右卡块，从而达到了将沉积炉固定的目的，通过在箱体的两侧设置卡炉口和橡胶垫，在箱体的正面设置插板，从而解决了沉积炉体在箱体中不方便取出和放置的问题。

技术领域

本实用新型涉及沉积炉技术领域，具体为一种LPCVD沉积炉。

背景技术

LPCVD技术既能用于制备硅外延层，也能用于各种无定形钝化膜及多晶薄膜的沉积，是一种重要的薄膜淀积技术，但沉积炉在长时间使用后需要检修和维护，但现有的沉积炉由于体积和放置的固定方式导致在检修时候十分不方便。

发明内容

本实用新型是提供一种能够快速简便的固定且放置容易的LPCVD沉积炉。

技术方案

为实现以上目的，本实用新型通过以下技术方案予以实现：一种LPCVD沉积炉，包括底座，所述底座的顶部包括箱体、左支架和右支架，所述箱体的底部与底座的顶部固定连接，所述左支架位于箱体的左侧设置，所述左支架的底部与底座的顶部固定连接，所述左支架的右侧与箱体的左侧固定连接，所述右支架位于箱体的右侧设置，所述右支架的左侧与箱体的右侧固定连接，所述左支架的顶部包括左卡块，所述左卡块的底部后侧通过铰链与左支架的顶部后侧转动连接，所述右支架的顶部包括右卡块，所述右卡块的底部后侧通过铰链与右支架的顶部后侧转动连接。

所述箱体的内部包括上加热板、沉积炉体、进气管、出气管和下加热板，所述上加热板位于箱体的内壁设置，所述上加热板的表面与箱体的内壁卡接，所沉积炉体位于上加热板的下侧设置，所述沉积炉体的左侧与进气管的右端固定连接，所述沉积炉体的右侧与出气管的左端固定连接，所述下加热板位于沉积炉体的下侧设置，所述下加热板的表面与箱体的内壁卡接，所述沉积炉体的内部包括左端盖、载片舟、沉积孔、右端盖和固定块，所述固定块位于沉积炉体的内壁底部设置，所述固定块的底部与沉积炉体内壁的底部固定连接，所述固定块的顶部与载片舟的表面底部固定连接，所述左端盖位于载片舟的左侧设置，所述左端盖的内壁与载片舟的表面左侧螺纹连接，所述右端盖位于载片舟的右侧设置，所述右端盖的内壁与载片舟的表面右侧螺纹连接，所述箱体的正面包括插板，所述插板位于箱体的正面设置，所述插板的表面与箱体的内壁滑动连接，所述箱体的两侧包括卡炉口，所述卡炉口位于箱体的两侧内壁开设，卡炉口的内部包括橡胶垫，所述橡胶垫的底部与卡炉口的内壁底部粘接，所述进气管的左端通过卡炉口延伸至箱体的左侧，所述进气管的表面底部与橡胶垫的表面活动连接，所述进气管的表面底部与左支架的顶部滑动连接，所述进气管的表面顶部与左卡块的底部卡接，所述出气管的右端通过卡炉口延伸至箱体的右侧，所述出气管的表面底部与橡胶垫的表面活动连接所述出气管的表面顶部与右卡块的底部卡接，所述出气管的表面底部与右支架的顶部活动连接。

进一步的，所述底座的底部包括万向轮和卡杆，所述万向轮的内壁通过转轴与底座的底部转动连接，所述卡杆位于万向轮的背面设置，所述卡杆的左端与万向轮的背面卡接。

进一步的，所述万向轮和卡杆的数量均为四个，四个万向轮和四个卡杆以底座的中轴线为对称设置在底座的四角。

进一步的，所述进气管的底部包括左固定柱，所述左固定柱位于箱体的内部设置，所述左固定柱的顶部与进气管的表面底部活动连接，所述左固定柱的底部与下加热板的上表面的左侧卡接，所述出气管的底部包括右固定柱，所述右固定柱位于箱体的内部设置，所述右固定柱的顶部与出气管的表面底部活动连接，所述右固定柱的底部与下加热板的上表面右侧卡接。