[实用新型]一种改善HCD炉管硅片间均匀性差异的装置

说明书

本实用新型公开了一种改善HCD炉管硅片间均匀性差异的装置，包括：炉管；环形晶舟，炉管的内部自上而下设有若干环形晶舟；若干环形晶舟的高度不同；通过调整若干环形晶舟的高度以调整参与反应气体的量，从而补偿硅片面内厚度差异。本实用新型通过调整若干环形晶舟的高度以调整参与反应气体的量，从而补偿硅片面内厚度差异，能够进一步减少炉管上下端均匀性的差异。

技术领域

本实用新型涉及半导体的技术领域，尤其涉及一种改善HCD炉管硅片间均匀性差异的装置。

背景技术

随着半导体工艺的发展，为了获得更高更好的提高器件的容量和性能，对于工艺的控制要求也越来越高。除了要求硅片面内的厚度均匀外，硅片之间的均匀性差异也要求越小越好，从工艺控制的角度出发，硅片之间的均匀性差异越小，其工艺稳定度就越好。

当前的炉管HCD工艺，整个批次生产的晶圆的STDEV(基于样本估算标准偏差)表现为从下到上依次变差的趋势。产品的器件性能往往会因为在HCD工艺时上下位置的不同而差异明显。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型的目的在于提供一种改善HCD炉管硅片间均匀性差异的装置。

为了实现上述目的，本实用新型采取的技术方案为：

一种改善HCD炉管硅片间均匀性差异的装置，其中，包括：炉管；环形晶舟，所述炉管的内部自上而下设有若干环形晶舟；若干所述环形晶舟的高度不同；通过调整若干所述环形晶舟的高度以调整参与反应气体的量，从而补偿硅片面内厚度差异。

上述的改善HCD炉管硅片间均匀性差异的装置，其中，每两相邻的环形晶舟之间，位于上侧的所述环形晶舟的高度均大于位于下侧的所述环形晶舟的高度。

上述的改善HCD炉管硅片间均匀性差异的装置，其中，每一所述环形晶舟均包括：水平支撑环、设置于所述水平支撑环上的底部支撑件、固定在所述底部支撑件上的支撑柱、以及固定在所述支撑柱上的硅片支撑件。

上述的改善HCD炉管硅片间均匀性差异的装置，其中，每一所述环形晶舟自其所述底部支撑件的下表面至其所述硅片支撑件的上表面的距离为第一距离；每两相邻的所述环形晶舟之间，位于上侧的所述环形晶舟的所述第一距离均大于位于下侧的所述环形晶舟的所述第一距离。

上述的改善HCD炉管硅片间均匀性差异的装置，其中，若干所述环形晶舟的第一距离自上而下逐渐减小。

上述的改善HCD炉管硅片间均匀性差异的装置，其中，所述底部支撑件为环形结构。

上述的改善HCD炉管硅片间均匀性差异的装置，其中，所述支撑柱为环形结构。

上述的改善HCD炉管硅片间均匀性差异的装置，其中，所述硅片支撑件均为环形结构。

上述的改善HCD炉管硅片间均匀性差异的装置，其中，所述环形晶舟为石英环形晶舟。

上述的改善HCD炉管硅片间均匀性差异的装置，其中，适用的技术节点包括90nm、65/55nm、45/40nm、32/28nm、22/20nm、以及小于16nm。

上述的改善HCD炉管硅片间均匀性差异的装置，其中，适用的技术平台包括：Logic、Memory、RF、CIS、Flash、eFlash。

本实用新型由于采用了上述技术，使之与现有技术相比具有的积极效果是：

(1)本实用新型通过调整若干所述环形晶舟的高度以调整参与反应气体的量，从而补偿硅片面内厚度差异，能够进一步减少炉管上下端均匀性的差异。

附图说明

图1是本实用新型的改善HCD炉管硅片间均匀性差异的装置的位于上侧的环形晶舟的示意图。