[实用新型]一种外延炉托盘基座

说明书

本实用新型提供了一种外延炉托盘基座，属于半导体化学气相沉积设备领域，包括基础圆环、设置在基础圆环上用于固定6英寸晶片衬底的外定位圆环以及可拆卸连接在外定位圆环上的用于固定4英寸晶片衬底的内定位圆环，基础圆环的上端面的内侧设有凸出于基础圆环的上端面的定位环，外定位圆环通过定位环配装在基础圆环的上端面，外定位圆环的厚度大于定位环的高度，内定位圆环配装在外定位圆环的内侧且位于定位环的上端。本实用新型提供的一种外延炉托盘基座，4英寸和6英寸两种尺寸晶片能够通用，即便存在污染物、破损或超过使用寿命时，可以单独清理或更换。

技术领域

本实用新型属于半导体化学气相沉积设备领域，更具体地说，是涉及一种外延炉托盘基座。

背景技术

化学气相沉积(CVD)法是利用热量或者其他能源，使气态化学物质沉积，成为稳定固体的方法，也是一种常用的以外延的方式生长薄膜材料的方法。托盘基座作为生长晶片所用的载体，是外延生长必不可少的设备部件。外延生长过程中，反应物除了在晶片正面有序沉积，还会在晶片周围的托盘基座上无序沉积并附着。随着这些在托盘基座上的沉积物厚度的增加，不仅会影响气流携带反应物在晶片表面上的正常沉积，而且会给反应腔的环境和外延片的表面带来颗粒，从而降低外延片的质量。

为保证外延片的质量，需要对整个托盘基座进行周期性清理，当托盘基座上有一点影响外延质量的污染物或破损，或是超过托盘基座的使用寿命后，必须整体进行更换。

4英寸和6英寸的晶片外延生长反应腔使用比较普遍，对于生长4英寸和6 英寸两种尺寸晶片外延生长的反应腔，需要单独准备装载4英寸和6英寸晶片的两种托盘基座。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种外延炉托盘基座，旨在解决4英寸和6英寸两种尺寸晶片外延托盘基座不能通用，一旦存在污染物、破损或超过使用寿命时，需要整体更换的问题。

为实现上述目的，本实用新型采用的技术方案是：提供一种外延炉托盘基座，包括基础圆环、设置在所述基础圆环上用于固定6英寸晶片衬底的外定位圆环以及可拆卸连接在所述外定位圆环上的用于固定4英寸晶片衬底的内定位圆环，所述基础圆环的上端面的内侧设有凸出于所述基础圆环的上端面的定位环，所述外定位圆环通过所述定位环配装在所述基础圆环的上端面，所述外定位圆环的厚度大于所述定位环的高度，所述内定位圆环配装在所述外定位圆环的内侧且位于所述定位环的上端。

进一步地，所述定位环上设有与所述晶片衬底相匹配的限位直板，所述外定位圆环的内壁上设有与所述6英寸晶片衬底相抵接的外环限位直边，所述外环限位直边与所述限位直板的外壁形状相匹配，所述外定位圆环通过所述外环限位直边与所述限位直板配合安装于所述定位环的外侧，所述内定位圆环的内壁上设有用于定位所述4英寸晶片衬底相抵接的第一内环限位直边，所述内定位圆环的外壁上设有与所述外环限位直边相抵接的第二内环限位直边，所述内定位圆环通过所述第二内环限位直边与所述外环限位直边配合安装于所述外定位圆环的内侧。

进一步地，所述基础圆环的上端面固定设置有定位块，所述外定位圆环上设置有与所述定位块适配的定位槽口。

进一步地，所述定位块的数量为两个且对称设置。

进一步地，所述基础圆环为石墨烧结制件。

进一步地，所述外定位圆环为碳化硅烧结制件。

进一步地，所述内定位圆环为碳化硅烧结制件。

进一步地，所述外定位圆环的厚度与所述定位环的高度差等于所述内定位圆环的高度。