[实用新型]一种双圆环形相变材料超宽带THz吸波器

权利要求书

1.一种双圆环形相变材料超宽带THz吸波器，其特征在于：包括底层反射板，所述底层反射板上设置有四层结构单元，所述四层结构单元从下至上依次为第一介质基板、中间二氧化钒谐振层、第二介质基板及顶部二氧化钒谐振层；

所述中间及顶部二氧化钒谐振层均包括四个二氧化钒谐振单元，四个二氧化钒谐振单元的中心位于介质基板两对角线的1/4处，其厚度均为0.2 μm，且各层中对角两谐振单元的尺寸相同。

2.根据权利要求1所述的双圆环形相变材料超宽带THz吸波器，其特征在于：所述顶部二氧化钒谐振层的四个二氧化钒谐振单元均由内外两部分组成，外部的谐振单元为内齿形圆环，内部的谐振单元为外齿形圆环，齿形结构的间距均为20°，环宽及齿形宽度相等，厚度均为0.2 μm。

3.根据权利要求2所述的双圆环形相变材料超宽带THz吸波器，其特征在于：左上方二氧化钒谐振单元的外层圆环的外半径为17.5 μm，内层圆环的外半径为7.5 μm，环宽2 μm，右上方二氧化钒谐振单元的外层圆环的外半径为12 μm，内层圆环的外半径为7 μm，环宽1μm。

4.根据权利要求1所述的双圆环形相变材料超宽带THz吸波器，其特征在于：所述中间二氧化钒谐振层的四个二氧化钒谐振单元均为开缝圆形片，厚度均为0.2 μm。

5.根据权利要求2所述的双圆环形相变材料超宽带THz吸波器，其特征在于：左上方二氧化钒谐振单元的半径为20 μm，缝宽0.4 μm，右上方二氧化钒谐振单元的半径为19.5 μm，缝宽0.4 μm。

6.根据权利要求1所述的双圆环形相变材料超宽带THz吸波器，其特征在于：所述二氧化钒谐振单元有两种状态，低温状态和高温状态，所述低温状态的温度低于68 ℃，所述高温状态的温度大于或等于68 ℃；

当所述二氧化钒谐振单元处于低温状态时，呈介质特性，其电导率为10.62 S/m，当所述二氧化钒谐振单元处于高温状态时，呈金属特性,其电导率为276000 S/m。

7.根据权利要求1所述的双圆环形相变材料超宽带THz吸波器，其特征在于：所述第一、二介质基板为方形板，其边长为80 μm，第一介质基板的厚度为2 μm，第二介质基板的厚度为4 μm，材料为无损耗的聚酰亚胺。

8.根据权利要求1所述的双圆环形相变材料超宽带THz吸波器，其特征在于：所述底层反射板为方形板，其边长为80 μm，厚度为0.4 μm，材料为金。