[实用新型]提高SOT与SOD封装体垂直方向结合力的引线框架

说明书

本实用新型涉及的一种提高SOT与SOD封装体垂直方向结合力的引线框架，包含有基岛和管脚，所述基岛的边缘处间隔设置有多个豁口，豁口从基岛的正面冲切贯通至背面，所述基岛的边缘处的背面设置有多个冲压台阶。本实用新型一种提高SOT与SOD封装体垂直方向结合力的引线框架，引线框架与封装体之间垂直结合力较高，封装结束后进行裁切时，不容易发生破坏，提高良品率。

技术领域

本实用新型涉及一种提高SOT与SOD封装体垂直方向结合力的引线框架。

背景技术

传统的SOT与SOD产品引线框架与封装体之间水平结合力和垂直结合力都较低，在封装结束后进行裁切时，容易发生破坏：

1、例如参见图1-图2，在塑封后进行剪切时，管脚受到剪切拉力N时，芯片会直接受到塑封体的反作用力n，芯片与焊线容易发生相对位移，从而影响产品可靠性；

2、原基岛边缘处是光滑面，在塑封后进行剪切时，沿着引线框架垂直方向上基岛与塑封体结合力较差，容易使引线框架基岛与塑封体产生分层异常，从而影响产品可靠性。

因此也急需寻求一种提高SOT与SOD封装体垂直方向结合力的引线框架，提高产品可靠性。

实用新型内容

本实用新型的目的在于克服上述不足，提供一种提高SOT与SOD封装体垂直方向结合力的引线框架，引线框架与封装体之间垂直结合力较高，封装结束后进行裁切时，不容易发生破坏，提高良品率。

本实用新型的目的是这样实现的：

一种提高SOT与SOD封装体垂直方向结合力的引线框架，包含有基岛和管脚，位于待剪切线附近的管脚上从背面设置有与待剪切线平行的勾胶凹槽，相应的在管脚正面形成勾胶凸条。

所述基岛的边缘处间隔设置有多个豁口，豁口从基岛的正面冲切贯通至背面，所述基岛的边缘处的背面设置有多个冲压台阶。

作为一种优选，豁口为半圆形结构。

作为一种优选，豁口的半径为0.07mm

作为一种优选，豁口与基岛的直边处通过圆弧过渡。

作为一种优选，基岛的每条边边缘处分别设置有两个豁口。

作为一种优选，所述冲压台阶是从基岛的背面冲压至基岛高度的一半。

作为一种优选，冲压台阶位于相邻两个豁口之间以及最边缘的豁口的外侧。

作为一种优选，冲压台阶处的基岛的边缘向外形成自然延展部。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：

本实用新型一种提高SOT与SOD封装体垂直方向结合力的引线框架，引线框架与封装体之间垂直结合力较高，封装结束后进行裁切时，不容易发生破坏，提高良品率。

附图说明

图1为传统引线框架塑封后进行剪切时的受力状态示意图。

图2为图1的剖视图。

图3为提高SOT与SOD封装体垂直方向结合力的引线框架示意图。

图4为图3的A-A剖视图。

图5为提高SOT与SOD封装体垂直方向结合力的引线框架塑封后剪切时的受力示意图。

图6为图5的A处局部放大图。

其中：

基岛1、管脚2、勾胶凹槽3、芯片4、焊线5、豁口6、冲压台阶7、自然延展部8、待剪切线9、加强筋10、塑封体11、勾胶凸条12；