[实用新型]浪涌保护电路、电路系统及电子设备

说明书

本申请提供了一种浪涌保护电路、电路系统及电子设备，包括第一检测单元、第二检测单元、浪涌泄流单元；第一检测单元分别与第二检测单元和浪涌泄流单元相连；第一检测单元用于接收输入电压和控制电压，当输入电压超过钳位电压时，输出第一导通电压和第一导通电流，当控制电压大于控制电压阈值时，增大第一导通电压和第一导通电流；第二检测单元用于接收输入电压和第一导通电流，第二检测单元依据输入电压和第一导通电流，得到与第一导通电流有比值的检测电流，并依据检测电流输出与检测电流相对应的控制电压；浪涌泄流单元用于接收输入电压和第一导通电压，浪涌泄流单元依据输入电压和第一导通电压对输入电压进行泄流，输出泄流电流。

技术领域

本实用新型涉及集成电路技术领域，具体涉及一种浪涌保护电路、电路系统及电子设备。

背景技术

浪涌电压是超出正常电压的瞬间过电压，一般指电网中出现的短时间像“浪”一样的高电压引起的大电流。浪涌电压的产生原因主要有雷击、电网上的大型负荷接通或断开等。浪涌电压可能会造成计算机及各种硬件设备的损坏、电源设备的损坏、电子设备运行不稳定及老化加速。

为了保证各种硬件设备、电子设备安全可靠运行，延长其使用寿命，需要在各种硬件设备、电子设备的端口增设浪涌保护装置，对浪涌电压及时进行泄放，避免各种硬件设备、电子设备遭受浪涌电压的破坏，以保证各种硬件设备、电子设备的安全可靠运行。

现有技术中，应用于集成芯片中的浪涌保护电路通常通过一个浪涌管作为浪涌电压的泄放通道，使得在电路输入端口上的浪涌电压超出预设值时，浪涌管导通，对浪涌电压进行泄放，以实现对电路的保护。所述浪涌管通常为N型金属氧化物半导体(Negativechannel-Metal-Oxide-Semiconductor， NMOS)，但在现有技术的浪涌保护电路中，NMOS管承受的最大功率较大，使得NMOS管容易烧断。

实用新型内容

基于上述现有技术的不足，本实用新型提出了一种浪涌保护电路、电路系统及电子设备，以实现降低浪涌电路中承受的最大功率。

为实现上述目的，本实用新型实施例提供如下技术方案：

本实用新型第一方面公开了一种浪涌保护电路，包括：

第一检测单元、第二检测单元、浪涌泄流单元；其中，所述第一检测单元分别与所述第二检测单元和所述浪涌泄流单元相连；

所述第一检测单元，用于接收输入电压和控制电压，当所述输入电压超过钳位电压时，所述第一检测单元输出第一导通电压和第一导通电流；当所述控制电压大于控制电压阈值时，所述第一检测单元增大所述第一导通电压和第一导通电流；

所述第二检测单元，用于接收所述输入电压和所述第一检测单元的第一导通电流，所述第二检测单元依据所述输入电压和第一导通电流，得到与所述第一导通电流有比值的检测电流，并依据所述检测电流输出与所述检测电流相对应的所述控制电压；

所述浪涌泄流单元，用于接收所述输入电压和所述第一检测单元输出的第一导通电压，所述浪涌泄流单元依据所述输入电压和第一导通电压对所述输入电压进行泄流，输出泄流电流。

可选地，在上述浪涌保护电路中，所述第一检测单元，包括：

稳压电路、第三开关管以及第二电阻；

所述稳压电路的输入端接收所述输入电压，所述稳压电路的输出端通过所述第二电阻接地，所述稳压电路包括至少两个串联的第一稳压二极管，用于产生所述钳位电压，所述稳压电路中的第一稳压二极管均反接于所述稳压电路中；

所述第二电阻远离地的一端用于输出所述第一导通电压，所述第二电阻接地的一端用于输出所述第一导通电流；

所述第三开关管的第一端和第二端并联所述稳压电路中至少一个第一稳压二极管，所述第三开关管的控制端接收所述控制电压。