[实用新型]一种氮化镓基发光二极管外延片

权利要求书

1.一种氮化镓基发光二极管外延片，所述氮化镓基发光二极管外延片包括衬底、缓冲层、未掺杂氮化镓层、电子提供层、有源层和空穴提供层，所述缓冲层、所述未掺杂氮化镓层、所述电子提供层、所述有源层和所述空穴提供层依次层叠在所述衬底上，其特征在于，所述电子提供层包括多个第一子层和多个第二子层，所述多个第一子层和所述多个第二子层交替层叠设置；所述第一子层为Ag层，所述第二子层为N型掺杂的GaN层。

2.根据权利要求1所述的氮化镓基发光二极管外延片，其特征在于，所述第二子层的厚度为所述第一子层的厚度的2倍～5倍。

3.根据权利要求2所述的氮化镓基发光二极管外延片，其特征在于，所述第一子层和所述第二子层的厚度之和为250nm～500nm。

4.根据权利要求1～3任一项所述的氮化镓基发光二极管外延片，其特征在于，所述电子提供层的厚度为1μm～5μm。

5.根据权利要求4所述的氮化镓基发光二极管外延片，其特征在于，所述第一子层的数量为1个～10个，所述第二子层的数量为2个～11个。

6.根据权利要求1～3任一项所述的氮化镓基发光二极管外延片，其特征在于，所述未掺杂氮化镓层设置所述电子提供层的表面包括多个凸起部和多个凹陷部，所述多个凸起部为沿同一方向延伸的条形结构，所述多个凸起部沿垂直于所述多个凸起部的延伸方向的方向间隔排列，相邻两个所述凸起部之间形成所述凹陷部。

7.根据权利要求6所述的氮化镓基发光二极管外延片，其特征在于，所述凸起部与所述凹陷部的高度差小于所述第一子层的厚度，且所述凸起部与所述凹陷部的高度差大于所述第二子层的厚度。

8.根据权利要求7所述的氮化镓基发光二极管外延片，其特征在于，所述凸起部与所述凹陷部的高度差为50nm～500nm。

9.根据权利要求6所述的氮化镓基发光二极管外延片，其特征在于，所述凸起部的宽度与相邻两个所述凸起部之间的距离相等。

10.根据权利要求9所述的氮化镓基发光二极管外延片，其特征在于，相邻两个所述凸起部之间的距离为20nm～200nm。