[实用新型]用于高密度面阵性能验证的测试结构

权利要求书

1.一种用于高密度面阵性能验证的测试结构，包括半绝缘InP衬底(1)、N型InP缓冲层(2)、InGaAs吸收层(3)、N型InP帽层(4)、光敏区(5)、P电极(6)、N电极(7)，其特征在于：

光敏区(5)由18组有效面积为60μmⅹ60μm的探测器光敏元阵列组成，每组探测器阵列共同引出一个P电极，所有探测器阵列共用一个N电极；

所述的光敏元阵列中，第1-6组阵列规模为6ⅹ6，扩散孔中心距为10μm，其中第1-3组扩散孔形状为方形，边长分别为3μm、4μm、5μm；第4-6组扩散孔形状为圆形，直径分别为3μm、4μm、5μm；第7-12组阵列规模为4ⅹ4，扩散孔中心距为15μm，其中第7-9组扩散孔形状为方形，边长分别为8μm、9μm、10μm；第10-12组扩散孔形状为圆形，直径分别为8μm、9μm、10μm；第13-18组阵列规模为3ⅹ3，扩散孔中心距为20μm，其中第13-15组扩散孔形状为方形，边长分别为13μm、14μm、15μm；第16-18组扩散孔形状为圆形，直径分别为13μm、14μm、15μm。