[实用新型]背照式图像传感器

权利要求书

1.一种背照式图像传感器，其特点在于，包括：

半导体衬底，所述半导体衬底内形成有由外围电路区域包围的光敏区域，所述外围电路区域与所述光敏区域之间形成有第一隔离结构；

背面隔离沟槽，形成于所述半导体衬底背面一侧的半导体衬底中，且与所述第一隔离结构上下对应设置。

2.根据权利要求1所述背照式图像传感器，其特征在于，所述背照式图像传感器包括：

保护环结构，形成于所述第一隔离结构和所述外围电路区域之间；

第二隔离结构，形成于所述保护环结构和所述外围电路区域之间。

3.根据权利要求2所述背照式图像传感器，其特征在于，所述保护环结构为P型保护环结构、PN型保护环结构或者PNP型保护环结构；

所述P型保护环结构包括一个P型保护环，所述P型保护环形成于所述第一隔离结构和所述第二隔离结构之间；

所述PN型保护环结构包括一个P型保护环和一个N型保护环，所述P型保护环与所述第一隔离结构相邻，所述N型保护环与所述第二隔离结构相邻，且所述P型保护环与所述N型保护环之间形成有第三隔离结构；

所述PNP型保护环结构包括两个P型保护环和一个N型保护环，一个所述P型保护环与所述第一隔离结构相邻，另一个所述P型保护环与所述第二隔离结构相邻，所述N型保护环位于两个所述P型保护环之间，且每个所述P型保护环与所述N型保护环之间形成有第三隔离结构。

4.根据权利要求3所述背照式图像传感器，其特征在于，所述背照式图像传感器包括：形成于所述半导体衬底背面一侧的半导体衬底中、且与所述第二隔离结构和/或第三隔离结构上下对应设置的背面隔离沟槽。

5.根据权利要求1至4任一所述背照式图像传感器，其特征在于，所述背面隔离沟槽的底面为半导体衬底；或者，所述背面隔离沟槽贯穿所述半导体衬底。

6.根据权利要求5所述背照式图像传感器，其特征在于，所述背照式图像传感器包括：绝缘层，形成于所述背面隔离沟槽的底面和侧壁。

7.根据权利要求6所述背照式图像传感器，其特征在于，所述绝缘层的材料为高k材料。

8.根据权利要求6所述背照式图像传感器，其特征在于，所述背照式图像传感器包括：背面沟槽隔离结构，形成于所述背面隔离沟槽内的绝缘层上。

9.根据权利要求8所述背照式图像传感器，其特征在于，所述背面沟槽隔离结构的材料为氧化硅。

10.根据权利要求5所述背照式图像传感器，其特征在于，所述背照式图像传感器包括：

金属互连层，形成于所述半导体衬底的正面；

处置衬底，设置于所述金属互连层的下方。