[实用新型]背照式图像传感器有效
申请号: | 201821919887.4 | 申请日: | 2018-11-20 |
公开(公告)号: | CN209016059U | 公开(公告)日: | 2019-06-21 |
发明(设计)人: | 包德君;石文杰 | 申请(专利权)人: | 思特威(上海)电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 201203 上海市浦东新区自*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 背照式图像传感器 外围电路区域 半导体 光敏区域 衬底 隔离结构 本实用新型 衬底背面 成像效果 隔离沟槽 上下对应 有效减少 暗电流 白像素 背面 包围 | ||
1.一种背照式图像传感器,其特点在于,包括:
半导体衬底,所述半导体衬底内形成有由外围电路区域包围的光敏区域,所述外围电路区域与所述光敏区域之间形成有第一隔离结构;
背面隔离沟槽,形成于所述半导体衬底背面一侧的半导体衬底中,且与所述第一隔离结构上下对应设置。
2.根据权利要求1所述背照式图像传感器,其特征在于,所述背照式图像传感器包括:
保护环结构,形成于所述第一隔离结构和所述外围电路区域之间;
第二隔离结构,形成于所述保护环结构和所述外围电路区域之间。
3.根据权利要求2所述背照式图像传感器,其特征在于,所述保护环结构为P型保护环结构、PN型保护环结构或者PNP型保护环结构;
所述P型保护环结构包括一个P型保护环,所述P型保护环形成于所述第一隔离结构和所述第二隔离结构之间;
所述PN型保护环结构包括一个P型保护环和一个N型保护环,所述P型保护环与所述第一隔离结构相邻,所述N型保护环与所述第二隔离结构相邻,且所述P型保护环与所述N型保护环之间形成有第三隔离结构;
所述PNP型保护环结构包括两个P型保护环和一个N型保护环,一个所述P型保护环与所述第一隔离结构相邻,另一个所述P型保护环与所述第二隔离结构相邻,所述N型保护环位于两个所述P型保护环之间,且每个所述P型保护环与所述N型保护环之间形成有第三隔离结构。
4.根据权利要求3所述背照式图像传感器,其特征在于,所述背照式图像传感器包括:形成于所述半导体衬底背面一侧的半导体衬底中、且与所述第二隔离结构和/或第三隔离结构上下对应设置的背面隔离沟槽。
5.根据权利要求1至4任一所述背照式图像传感器,其特征在于,所述背面隔离沟槽的底面为半导体衬底;或者,所述背面隔离沟槽贯穿所述半导体衬底。
6.根据权利要求5所述背照式图像传感器,其特征在于,所述背照式图像传感器包括:绝缘层,形成于所述背面隔离沟槽的底面和侧壁。
7.根据权利要求6所述背照式图像传感器,其特征在于,所述绝缘层的材料为高k材料。
8.根据权利要求6所述背照式图像传感器,其特征在于,所述背照式图像传感器包括:背面沟槽隔离结构,形成于所述背面隔离沟槽内的绝缘层上。
9.根据权利要求8所述背照式图像传感器,其特征在于,所述背面沟槽隔离结构的材料为氧化硅。
10.根据权利要求5所述背照式图像传感器,其特征在于,所述背照式图像传感器包括:
金属互连层,形成于所述半导体衬底的正面;
处置衬底,设置于所述金属互连层的下方。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的