[实用新型]背照式图像传感器有效

专利信息
申请号: 201821919887.4 申请日: 2018-11-20
公开(公告)号: CN209016059U 公开(公告)日: 2019-06-21
发明(设计)人: 包德君;石文杰 申请(专利权)人: 思特威(上海)电子科技有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 201203 上海市浦东新区自*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 背照式图像传感器 外围电路区域 半导体 光敏区域 衬底 隔离结构 本实用新型 衬底背面 成像效果 隔离沟槽 上下对应 有效减少 暗电流 白像素 背面 包围
【权利要求书】:

1.一种背照式图像传感器,其特点在于,包括:

半导体衬底,所述半导体衬底内形成有由外围电路区域包围的光敏区域,所述外围电路区域与所述光敏区域之间形成有第一隔离结构;

背面隔离沟槽,形成于所述半导体衬底背面一侧的半导体衬底中,且与所述第一隔离结构上下对应设置。

2.根据权利要求1所述背照式图像传感器,其特征在于,所述背照式图像传感器包括:

保护环结构,形成于所述第一隔离结构和所述外围电路区域之间;

第二隔离结构,形成于所述保护环结构和所述外围电路区域之间。

3.根据权利要求2所述背照式图像传感器,其特征在于,所述保护环结构为P型保护环结构、PN型保护环结构或者PNP型保护环结构;

所述P型保护环结构包括一个P型保护环,所述P型保护环形成于所述第一隔离结构和所述第二隔离结构之间;

所述PN型保护环结构包括一个P型保护环和一个N型保护环,所述P型保护环与所述第一隔离结构相邻,所述N型保护环与所述第二隔离结构相邻,且所述P型保护环与所述N型保护环之间形成有第三隔离结构;

所述PNP型保护环结构包括两个P型保护环和一个N型保护环,一个所述P型保护环与所述第一隔离结构相邻,另一个所述P型保护环与所述第二隔离结构相邻,所述N型保护环位于两个所述P型保护环之间,且每个所述P型保护环与所述N型保护环之间形成有第三隔离结构。

4.根据权利要求3所述背照式图像传感器,其特征在于,所述背照式图像传感器包括:形成于所述半导体衬底背面一侧的半导体衬底中、且与所述第二隔离结构和/或第三隔离结构上下对应设置的背面隔离沟槽。

5.根据权利要求1至4任一所述背照式图像传感器,其特征在于,所述背面隔离沟槽的底面为半导体衬底;或者,所述背面隔离沟槽贯穿所述半导体衬底。

6.根据权利要求5所述背照式图像传感器,其特征在于,所述背照式图像传感器包括:绝缘层,形成于所述背面隔离沟槽的底面和侧壁。

7.根据权利要求6所述背照式图像传感器,其特征在于,所述绝缘层的材料为高k材料。

8.根据权利要求6所述背照式图像传感器,其特征在于,所述背照式图像传感器包括:背面沟槽隔离结构,形成于所述背面隔离沟槽内的绝缘层上。

9.根据权利要求8所述背照式图像传感器,其特征在于,所述背面沟槽隔离结构的材料为氧化硅。

10.根据权利要求5所述背照式图像传感器,其特征在于,所述背照式图像传感器包括:

金属互连层,形成于所述半导体衬底的正面;

处置衬底,设置于所述金属互连层的下方。

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