[实用新型]一种钝化前Si基HgCdTe芯片清洗装置

说明书

本实用新型公开了一种钝化前Si基HgCdTe芯片清洗装置。该装置包括二氧化碳储罐（1），二氧化碳储罐（1）通过冷却器（2）、输送泵（3）和热转换器（4）连接到清洁室（5）；清洁室（5）中含有活动式喷嘴（6）、芯片架（7）、压力控制器（8）、光强检测机构（10）；光强检测机构（10）连接一处理器（15）；清洁室（5）的出口连接通过二氧化碳分离槽（12）连接二氧化碳储罐（1）。本实用新型能够克服传统手工清理钝化前Si基HgCdTe芯片工艺的不足，缩短清洗时间，避免有毒有害有机溶剂的使用，降低了对操作人员的技术要求，使得对芯片的清洁转向自动化，同时还充分发挥了超临界二氧化碳高扩散性、高溶解性和绿色环保的特点。

技术领域

本实用新型是涉及一种芯片清洗装置，具体地说是涉及一种钝化前Si基HgCdTe芯片清洗装置。

背景技术

钝化前的Si基HgCdTe芯片表面常残留的污染有：蜡、水印、油污和落渣等。目前传统的Si基HgCdTe芯片表面钝化清洗工艺主要依靠手工完成，擦拭过程中易引入划道，造成碲镉汞材料永久性损伤形成盲元；同时，手工擦拭工艺重复性差，存在芯片表面粘污去除不彻底和残留水印的情况；且该清洗工艺周期长，大大降低了生产的效率。另外，传统工艺在清洗过程中需要用到大量有毒有害的有机溶液，废液处理成本高，且对环境不友好的一面不利于长远发展。因此急需进行工艺优化，消除手工擦拭对芯片表面的影响。

二氧化碳在7.39MPa，31℃时可达到超临界态，其具有密度大，溶解能力强，传质速率高的特点。同时还具有储量丰富、便宜易得、无毒、惰性以及容易回收和循环利用等特点。超临界二氧化碳的溶解度随着压力和温度的变化而变化，在临界点附近，适当地调节压力和温度，其溶解度可在10^2~10³ 范围内变化。超临界二氧化碳作为弱极性溶剂，对非极性有机化合物有极强的溶解能力，能有效清除精微器件表面上的弱极性有机污染物，如硅酮、碳氢化合物和油脂等；对那些难溶的机型分子可添加改性剂，提高污染物在超临界二氧化碳的溶解度。水、有机胺、酸类、芳香族化合物等都能作为改性剂。

因此，开发超临界二氧化碳自动清洗工艺，不仅能减少有害化学溶剂使用，克服传统工艺的问题，也符合绿色清洁生产技术的条件。

发明内容

本实用新型的目的是克服现有技术中的不足，提供一种绿色环保的干式自动清洗Si基HgCdTe芯片装置。

为了解决上述技术问题，本实用新型是通过以下技术方案实现：

一种钝化前Si基HgCdTe芯片清洗装置，包括二氧化碳储罐，二氧化碳储罐顺次通过冷却器连接到输送泵，输送泵通过热转换器连接到清洗室，清洗室的出口顺次通过减压阀连接到二氧化碳分离槽的入口，二氧化碳分离槽的气体出口经冷凝器连接到二氧化碳储罐，所述二氧化碳储罐的上方具有压力控制器。

清洗室内顶壁上设置有活动式喷嘴，喷嘴下方设置芯片架，清洗室内顶壁上还设置有光源和光强检测机构，清洗室内侧壁上设置有压力控制器，所述光强检测机构与处理器相连。

作为优选技术方案，所述输送泵是压力泵浦，所述冷却器的温度控制在0~5℃，所述热转换器的温度控制在40~50℃，所述压力控制器的压力范围控制在8~10MPa，所述光强检测机构包括光敏电阻；所述光敏电阻检测光强度输出相应的电流；所述处理器将所述电流与内部设定值比较。

作为优选，所述光敏电阻数量若干，并联后与所述处理器电性连接。