[实用新型]一种磁控溅射设备有效

专利信息
申请号: 201821922516.1 申请日: 2018-11-21
公开(公告)号: CN209412303U 公开(公告)日: 2019-09-20
发明(设计)人: 周兴宝 申请(专利权)人: 东泰高科装备科技有限公司
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C23C14/54;C23C14/56
代理公司: 北京维澳专利代理有限公司 11252 代理人: 曾晨;周放
地址: 102209 北京市昌平*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 工艺腔 柔性连接管 磁控溅射设备 靶基距 伸缩 柔性连接机构 工艺腔室 靶材 腔壁 本实用新型 阴极 真空状态 整体腔 承载 移动
【说明书】:

实用新型公开了一种磁控溅射设备,包括柔性连接机构、第一工艺腔、第二工艺腔和控制机构;柔性连接机构包括柔性连接管,柔性连接管的两端分别与第一工艺腔的腔壁和第二工艺腔的腔壁相连接;控制机构被设置为用于控制柔性连接管伸缩,以改变第一工艺腔和第二工艺腔之间的距离。本公开的磁控溅射设备通过控制机构控制柔性连接管的伸缩,改变了第一工艺腔和第二工艺腔之间的距离。承载靶材的阴极整体腔可与第一工艺腔或第二工艺腔一起移动,使得靶材与基片的距离发生改变,达到调整靶基距的目的。本公开的磁控溅射设备可在不打开工艺腔室的条件下通过柔性连接管的伸缩来改变靶基距,从而可在保持工艺腔室的真空状态的前提下调整靶基距。

技术领域

本实用新型涉及气相沉积领域,更具体地,涉及一种磁控溅射设备。

背景技术

磁控溅射镀膜技术具有溅射速率高、沉积速率高、沉积温度低、薄膜质量好等优点,是目前镀膜工业化生产中最主要的技术之一。

在磁控溅射设备领域里,温度、镀膜气压、镀膜时间以及靶材与基片距离(即靶基距)等因素均会影响到镀膜工艺,特别是靶基距的改变会影响到膜层的沉积速率、膜层均匀性、膜层的质量,以及基片沉积温度等多种工艺参数。

现有磁控溅射设备的靶基距调整需要先打开工艺腔室,然后再进行靶基矩调整操作。这将破坏工艺腔室的真空状态,导致需要反复地对工艺腔室进行抽真空。

因此,如何提供一种可在保持工艺腔室的真空状态的同时调整靶基矩的磁控溅射设备成为本领域亟需解决的技术难题。

实用新型内容

本实用新型的一个目的是提供一种可在保持工艺腔室的真空状态的前提下调整靶基矩的磁控溅射设备的新技术方案。

根据本实用新型的第一方面,提供了一种磁控溅射设备。

该磁控溅射设备包括柔性连接机构、第一工艺腔、第二工艺腔和控制机构;其中,

所述柔性连接机构包括柔性连接管,所述柔性连接管的两端分别与所述第一工艺腔的腔壁和所述第二工艺腔的腔壁相连接;

所述控制机构被设置为用于控制所述柔性连接管伸缩,以改变所述第一工艺腔和所述第二工艺腔之间的距离。

可选的,所述柔性连接管为波纹管。

可选的,所述柔性连接机构还包括分别设置在所述柔性连接管的两端的第一柔性连接管法兰和第二柔性连接管法兰;

所述第一工艺腔上设有第一连接法兰,所述第二工艺腔上设有第二连接法兰;

所述第一柔性连接管法兰和所述第二柔性连接管法兰分别与所述第一连接法兰和所述第二连接法兰相连接。

可选的,所述控制机构包括驱动杆和驱动单元;

所述第一柔性连接管法兰和/或所述第一连接法兰上设有驱动杆孔,所述驱动杆的一端与所述驱动杆孔相配合,所述驱动杆的另一端与所述第二柔性连接管法兰和/或所述第二连接法兰相连接;

所述驱动单元被设置为用于驱动所述驱动杆沿着所述驱动杆孔移动,以改变所述第一柔性连接管法兰和所述第二柔性连接管法兰之间的距离。

可选的,所述控制机构还包括用于安装所述驱动单元的驱动单元安装支架,所述驱动单元安装支架固定在所述第二柔性连接管法兰上。

可选的,所述驱动单元安装支架具有板状结构,所述驱动单元的外壳与所述驱动单元安装支架固定连接。

可选的,所述驱动杆沿着所述驱动杆孔的移动行程小于或等于所述第一工艺腔和/或所述第二工艺腔的高度。

可选的,所述控制机构包括两套,且两套所述控制机构对称设置在所述柔性连接管的径向方向的两侧。

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