[实用新型]低底噪开关变压器及PLC电源适配器有效

专利信息
申请号: 201821929174.6 申请日: 2018-11-21
公开(公告)号: CN208848726U 公开(公告)日: 2019-05-10
发明(设计)人: 余波;熊连平;王绚奎;赵新;廖翔;袁张 申请(专利权)人: 成都康特电子高新科技有限责任公司
主分类号: H01F27/28 分类号: H01F27/28;H01F27/33;H01F27/36;H02M5/10;H02M1/44
代理公司: 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 代理人: 邓超
地址: 610000 四川省成都市*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 屏蔽绕组 绕线骨架 开关变压器 初级绕组 次级绕组 底噪 中空部位 适配器 磁芯 电源适配器 电磁感应 屏蔽磁芯 杂散磁场 噪声耦合 中空结构 高链 容置 外壁 杂讯 申请
【说明书】:

本申请提供一种低底噪开关变压器及PLC电源适配器。所述开关变压器包括绕线骨架、磁芯、初级绕组、第一屏蔽绕组、次级绕组、第二屏蔽绕组及第三屏蔽绕组。绕线骨架为中空结构,磁芯部分容置在绕线骨架的中空部位内,初级绕组、第一屏蔽绕组、次级绕组、第二屏蔽绕组及第三屏蔽绕组依次绕设在绕线骨架的与中空部位对应的外壁上,并相互层叠在一起。其中第一屏蔽绕组用于降低初级绕组与次级绕组之间的噪声耦合,次级绕组与初级绕组电磁感应,第二屏蔽绕组与第三屏蔽绕组分别用于屏蔽磁芯的杂讯及绕线骨架周围的杂散磁场。所述开关变压器的底噪低,可降低电源适配器对PLC速率的底噪干扰,确保PLC在高链损环境下的工作速率。

技术领域

本申请涉及PLC(Power Line Communication,电力线通信)技术领域,具体而言,涉及一种低底噪开关变压器及PLC电源适配器。

背景技术

PLC技术是一种利用电力线传输数据信息(比如,音频信息、视频信息)的通信方式,这种通信方式需要配备合适的电源适配器来获取电力线上的具体数据信息,而同时这种通信方式对电源适配器的底噪要求非常高。目前业界主流所采用的PLC电源适配器都是在电源接入单元处添加滤波电路的方式来阻断设备自身底噪对PLC工作速率的影响。但这种PLC电源适配器本身包括的实质性器件(例如,开关变压器)的底噪并未有所改善,当这种PLC电源适配器被应用到高链损环境(例如,高损耗的长距离电力线通信)下时,滤波电路的作用将大幅度降低,PLC电源适配器本身包括的实质性器件的底噪将会对PLC工作速率造成影响,使得高链损环境下的PLC工作速率效果不佳。

实用新型内容

为了克服现有技术中的上述不足,本申请的目的在于提供一种低底噪开关变压器及PLC电源适配器,所述低底噪开关变压器可大幅度降低自身底噪,降低PLC电源适配器对PLC速率的底噪干扰,确保PLC在高链损环境下的工作速率。

就变压器而言,本申请实施例提供一种低底噪开关变压器,应用于电力线通信PLC电源适配器,所述开关变压器包括绕线骨架、磁芯、初级绕组、第一屏蔽绕组、次级绕组、第二屏蔽绕组及第三屏蔽绕组;

所述绕线骨架为中空结构,所述磁芯部分容置在所述绕线骨架的中空部位内,所述初级绕组、所述第一屏蔽绕组、所述次级绕组、所述第二屏蔽绕组及所述第三屏蔽绕组依次绕设在所述绕线骨架的位置与所述中空部位对应的外壁上,并相互层叠在一起;

其中,所述初级绕组用于接入来自所述PLC电源适配器外部的交流电压,所述第一屏蔽绕组用于降低所述初级绕组与所述次级绕组之间的噪声耦合,所述次级绕组透过所述第一屏蔽绕组与所述初级绕组电磁感应输出变压后的交流电压,所述第二屏蔽绕组用于屏蔽所述磁芯的杂讯,所述第三屏蔽绕组用于屏蔽所述绕线骨架周围的杂散磁场。

可选地,在本申请实施例中,上述第一屏蔽绕组设置在所述初级绕组及所述次级绕组之间,所述第一屏蔽绕组所对应的线圈的一端与所述初级绕组对应线圈的电压输入端电性连接,所述第一屏蔽绕组所对应的线圈的另一端悬空,以在所述次级绕组与所述初级绕组电磁感应时,减低所述初级绕组与所述次级绕组之间的共模噪声的电容耦合。

可选地,在本申请实施例中,上述第二屏蔽绕组设置在所述次级绕组的外侧,所述第二屏蔽绕组所对应的线圈的一端与所述初级绕组对应线圈的输出接地端电性连接,所述第二屏蔽绕组所对应的线圈的另一端与所述磁芯连接,以将所述磁芯的杂讯屏蔽到接地端。

可选地,在本申请实施例中,上述所述开关变压器还包括杂磁屏蔽层,所述第三屏蔽绕组设置在所述第二屏蔽绕组的外侧,所述杂磁屏蔽层套设在所述第三屏蔽绕组外侧,所述第三屏蔽绕组所对应的线圈的一端与所述初级绕组对应线圈的输出接地端电性连接,所述第三屏蔽绕组所对应的线圈的另一端连接所述杂磁屏蔽层,以配合所述杂磁屏蔽层将所述绕线骨架周围的杂散磁场屏蔽到接地端。

可选地,在本申请实施例中,上述第三屏蔽绕组所对应的线圈采用屏蔽铜线绕制形成,所述杂磁屏蔽层采用自粘铜带制造而成。

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