[实用新型]一种砷化镓电池外延结构

权利要求书

1.一种砷化镓电池外延结构，包括衬底和设置在所述衬底上的牺牲层和电池层，沿远离所述衬底的方向，所述牺牲层和所述电池层依次叠置，所述牺牲层能通过湿法腐蚀辅助所述衬底与所述电池层分离，其特征在于，所述牺牲层从边缘区域向中心区域厚度逐渐降低。

2.根据权利要求1所述的砷化镓电池外延结构，其特征在于，所述牺牲层边缘区域与中心区域的厚度差范围为10～50nm。

3.根据权利要求1所述的砷化镓电池外延结构，其特征在于，所述牺牲层的远离所述衬底的一面为向所述衬底侧凹陷的凹弧面，所述牺牲层的靠近所述衬底的一面为向所述电池层侧凹陷的凹弧面。

4.根据权利要求1所述的砷化镓电池外延结构，其特征在于，所述牺牲层的远离所述衬底的一面为向所述衬底侧凹陷的凹弧面，所述牺牲层的靠近所述衬底的一面为平面。

5.根据权利要求1所述的砷化镓电池外延结构，其特征在于，所述牺牲层的远离所述衬底的一面为平面，所述牺牲层的靠近所述衬底的一面为向所述电池层侧凹陷的凹弧面。

6.根据权利要求3或5所述的砷化镓电池外延结构，其特征在于，还包括缓冲层，所述缓冲层设置在所述衬底与所述牺牲层之间，且所述缓冲层的远离所述衬底的一面为向所述牺牲层侧凸起的凸弧面，且所述缓冲层的凸弧面与所述牺牲层的凹弧面相贴合。

7.根据权利要求3或4所述的砷化镓电池外延结构，其特征在于，还包括翘曲调节层和欧姆接触层，所述欧姆接触层和所述翘曲调节层设置于所述牺牲层与所述电池层之间，且沿远离所述牺牲层的方向，所述欧姆接触层和所述翘曲调节层依次叠置，所述翘曲调节层的与所述电池层相接触的面为平面。

8.根据权利要求7所述的砷化镓电池外延结构，其特征在于，所述翘曲调节层采用AlInP或AlGaAs材料。