[实用新型]具有图形化基材的氮化镓半导体器件

权利要求书

1.一种具有图形化基材的氮化镓半导体器件，由下往上依序具有图形化基材及氮化镓半导体晶体管外延结构，其特征在于:

所述图形化基材由硅基材及图案化绝缘层组成，所述图案化绝缘层以数组方式设置在所述硅基材上。

2.如权利要求1所述的具有图形化基材的氮化镓半导体器件，其特征在于，所述硅基材为(111)硅基材。

3.如权利要求1所述的具有图形化基材的氮化镓半导体器件，其特征在于，所述图案化绝缘层为二氧化硅(SiO₂)。

4.如权利要求1或3所述的具有图形化基材的氮化镓半导体器件，其特征在于，所述图案化绝缘层的顶端为弧形。

5.如权利要求4所述的具有图形化基材的氮化镓半导体器件，其特征在于，所述图案化绝缘层的所述顶端至所述硅基材的表面的高度范围为0.7μm-0.9μm、所述弧形的两端点之间的宽度范围为1.2μm-1.5μm及相邻的所述图案化绝缘层之间的间隔距离为0.7μm-1μm。

6.如权利要求1或3所述的具有图形化基材的氮化镓半导体器件，其特征在于，所述图案化绝缘层的顶端为尖锥形。

7.如权利要求6所述的具有图形化基材的氮化镓半导体器件，其特征在于，所述图案化绝缘层的所述尖锥形的顶端至所述硅基材的表面的高度范围为0.7μm-0.9μm、每一所述图案化绝缘层的所述尖锥形的宽度范围为1.2μm-1.5μm及相邻的所述图案化绝缘层之间的间隔距离为1.2μm-1.5μm。

8.如权利要求1或3所述的具有图形化基材的氮化镓半导体器件，其特征在于，所述图案化绝缘层为梯形结构，且所述梯形结构的上底的长度小于下底的长度。

9.如权利要求8所述的具有图形化基材的氮化镓半导体器件，其特征在于，所述梯形结构的所述上底的长度范围为0.3μm-0.5μm、所述下底的长度范围为1.2μm-1.5μm、所述梯形结构的高度范围为0.7μm-0.9μm及相邻的所述图案化绝缘层的所述梯形结构之间的间隔距离为1.2μm-1.5μm。