[实用新型]一种太阳能电池有效
申请号: | 201821934066.8 | 申请日: | 2018-11-22 |
公开(公告)号: | CN208873739U | 公开(公告)日: | 2019-05-17 |
发明(设计)人: | 罗轶;李琳琳;宋士佳 | 申请(专利权)人: | 东泰高科装备科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/054 | 分类号: | H01L31/054;H01L31/18 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;罗瑞芝 |
地址: | 102200 北京市昌平*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 反射层 衬底 光线吸收层 电池层 叠层 反射 砷化铝层 砷化镓层 散射 叠置 光电转换效率 本实用新型 多孔结构层 多孔结构 依次设置 光子能 太阳光 光子 照射 吸收 | ||
1.一种太阳能电池,其特征在于,包括衬底和设置在所述衬底上的反射层和电池层,沿远离所述衬底的方向,所述反射层和所述电池层依次设置,所述反射层包括至少一个叠层单元,沿远离所述衬底的方向,各所述叠层单元依次叠置,所述叠层单元包括相互叠置的砷化镓层和砷化铝层,所述砷化镓层和所述砷化铝层均为多孔结构层。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述砷化镓层和所述砷化铝层中孔的直径范围为1~20nm。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述叠层单元的数量为5~50个。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述砷化镓层的厚度满足d1=λ/4n1,所述砷化铝层的厚度满足d2=λ/4n2;其中,d1为所述砷化镓层的厚度,n1为所述砷化镓层的折射率,d2为所述砷化铝层的厚度,n2为所述砷化铝层的折射率,λ为入射光波长。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述砷化镓层的厚度范围为4~30nm;所述砷化铝层的厚度范围为4~30nm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的