[实用新型]一种倒装LED芯片

说明书

本实用新型公开了一种倒装LED芯片，属于半导体技术领域。所述倒装LED芯片包括衬底、N型半导体层、有源层、P型半导体层、一次N型电极、一次P型电极、二次N型电极、二次P型电极、N型焊盘、P型焊盘、绝缘反射层和绝缘层；绝缘反射层设置在P型半导体层上和第一凹槽内，绝缘反射层上设有延伸至一次N型电极的第一通孔和延伸至一次P型电极的第二通孔；二次N型电极和二次P型电极间隔设置在绝缘反射层上，二次N型电极通过第一通孔与一次N型电极连接，二次P型电极通过第二通孔与一次P型电极连接；二次N型电极和二次P型电极均包括金属反射层。本实用新型可提高芯片的发光亮度。

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，特别涉及一种倒装LED芯片。

背景技术

发光二极管(英文：Light Emitting Diode，简称：LED)是一种可以把电能转化成光能的半导体二极管。LED作为一种新型发光器件，技术发展迅速、应用领域广泛、产业带动性强、节能潜力大，符合低碳的生态经济要求和当代新兴产业的发展趋势。与传统电气照明相比，LED照明具有节能、环保、长寿、高效等优点，是各国公认的最有发展前景的高效照明产业。

LED的心脏是一个半导体的晶片，称为LED芯片。LED芯片按照封装方式的不同，可以划分为正装结构、倒装结构和垂直结构。与传统正装结构芯片相比，倒装结构芯片具有大电流、高可靠性和使用简便的特点，目前已得到大规模应用。

倒装LED芯片包括衬底、N型半导体层、发光层、P型半导体层、P型电极、N型电极、N型焊盘、P型焊盘、绝缘层和反射层。N型半导体层、发光层和P型半导体层依次层叠在衬底上，P型半导体层上设有延伸至N型半导体层的凹槽。N型电极设置在凹槽内的N型半导体层上，P型电极设置在P型半导体层上。绝缘层和反射层依次设置在P型半导体层上除P型电极的设置区域之外的区域、以及凹槽内除N型电极的设置区域之外的区域，绝缘层上设有延伸至N型电极的第一通孔及延伸至P型电极的第二通孔，N型焊盘通过第一通孔与N型电极连接，P型焊盘通过第二通孔与P型电极连接。

在实现本实用新型的过程中，发明人发现现有技术至少存在以下问题：

绝缘层通常为单层透明氧化物薄膜，如二氧化硅薄膜，以在实现电气隔离的情况下，尽可能减小对光的吸收。二氧化硅薄膜等虽然吸收的光线很少，但是随着电极层数的增多，芯片内部设置的绝缘层数量也相应增多，绝缘层吸光的光线也越来越多，影响到芯片的发光亮度。

实用新型内容

本实用新型实施例提供了一种倒装LED芯片，能够解决现有技术绝缘层吸收光线，降低芯片发光亮度的问题。所述技术方案如下：

本实用新型实施例提供了一种倒装LED芯片，所述倒装LED芯片包括衬底、N型半导体层、有源层、P型半导体层、一次N型电极、一次P型电极、二次N型电极、二次P型电极、N型焊盘、P型焊盘、绝缘反射层和绝缘层；

所述N型半导体层、所述有源层和所述P型半导体层依次层叠在所述衬底上，所述P型半导体层上设有延伸至所述N型半导体层的第一凹槽；所述一次N型电极设置在所述第一凹槽内的N型半导体层上，所述一次P型电极设置在所述P型半导体层上；

所述绝缘反射层设置在所述P型半导体层上和所述第一凹槽内，所述绝缘反射层上设有延伸至所述一次N型电极的第一通孔和延伸至所述一次P型电极的第二通孔；所述二次N型电极和所述二次P型电极间隔设置在所述绝缘反射层上，所述二次N型电极通过所述第一通孔与所述一次N型电极连接，所述二次P型电极通过所述第二通孔与所述一次P型电极连接；所述二次N型电极和所述二次P型电极均包括金属反射层；