[实用新型]超结MOSFET终端结构有效
| 申请号： | 201821941302.9 | 申请日： | 2018-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN209071338U | 公开（公告）日： | 2019-07-05 |
| 发明（设计）人： | 陆怀谷 | 申请（专利权）人： | 深圳市谷峰电子有限公司;香港谷峰半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海恒慧知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31317 | 代理人： | 张宁展 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝安区49区河*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 元胞区 终端区 超结MOSFET 终端结构 外延层 晶体管单元 耐压能力 本实用新型 外延层表面 工艺兼容 工艺条件 器件制作 提升器件 栅极结构 衬底 终端 | ||
1.一种超结MOSFET终端结构，包括：N型重掺杂衬底(201)及形成于所述N型重掺杂衬底上的N型轻掺杂外延层(202)；所述的N型轻掺杂外延层(202)包括元胞区(Ⅰ)和包围所述元胞区的终端区(Ⅱ)；所述的元胞区中形成有至少一个晶体管单元，所述的晶体管单元包括形成于所述N型轻掺杂外延层(202)中的一对元胞区P柱(203)；该一对元胞区P柱(203)的顶端分别连接一P型体区(205)，且该P型体区(205)位于所述N型轻掺杂外延层(202)内；在所述的一对P型体区(205)的表面形成有栅极结构；且该栅极结构位于一对元胞区P柱(203)之间；所述的终端区中形成有至少多个终端区P柱(204)和一个以上的终端区P型体区(206)；其特征在于：
所述的终端区P柱(204)的宽度等于所述元胞区P柱(203)宽度的一半，所述终端区P柱(204)的间距也是元胞区P柱(203)宽度的一半，所述的终端P型体区(206)的间距逐渐加大。
2.根据权利要求1所述的超结MOSFET终端结构，其特征在于：所述的终端区P柱(204)的深度范围为30～60微米。
3.根据权利要求1所述的超结MOSFET终端结构，其特征在于：所述的元胞区P柱(203)和所述的终端区P柱(204)为P型单晶硅。
4.根据权利要求1至3任一项所述的超结MOSFET终端结构，其特征在于：所述的栅极结构包括形成于所述N型轻掺杂外延层表面的栅氧化层(207)及形成于所述栅氧化层表面的多晶硅栅极(208)。
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